[發明專利]集成電路結構

在審

• 申請號: 201410547378.3
• 申請日: 2014-10-16
• 公開（公告）號: CN105428349A
• 公開（公告）日: 2016-03-23
• 發明（設計）人: 陳建宏;吳俊賢
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L23/31
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王珊珊

1.一種由兩種元件高度的標準元件組成的集成電路結構，包含：

至少一第一標準元件，包含一第一元件高度，該第一標準元件包含單一第一摻雜區與多個第二摻雜區，該第一摻雜區設置于該第一標準元件的中央，所述第二摻雜區設置于該第一標準元件的上下兩端，該第一摻雜區包含一第一導電類型，所述第二摻雜區包含一第二導電類型，且該第一導電類型與該第二導電類型彼此互補，其中該第一摻雜區的面積小于位于該第一標準組件上端的所述第二摻雜區的面積總和且小于位于該第一標準組件下端的所述第二摻雜區的面積總和；以及

至少一第二標準元件，包含一第二元件高度，且該第二元件高度為該第一元件高度的一半。

2.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中該第二標準元件還包含至少一個以上的第三摻雜區與至少一個以上的第四摻雜區，該第三摻雜區包含該第一導電類型，該第四摻雜區包含該第二導電類型。

3.根據權利要求1所述的集成電路結構，還包含一第一導線，延伸經過該第一標準元件的中央，以及該第一摻雜區的中央。

4.根據權利要求3所述的集成電路結構，還包含一對第二導線，分別延伸經過該第一標準元件的頂端與底端，且該對第二導線的其中之一穿過該第二標準元件的頂端或底端。

5.根據權利要求4所述的集成電路結構，其中該第一導線經過該第二標準元件內該第二導線經過的另一端。

6.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中該第一標準元件包含擬N型金屬氧化物半導體邏輯元件、動態邏輯元件、骨牌式邏輯元件或全差分邏輯元件。

7.根據權利要求6所述的集成電路結構，其中該第一摻雜區包含一上拉的P型金屬氧化物半導體晶體管，所述第二摻雜區包含多個邏輯運算的N型金屬氧化物半導體晶體管。

8.一種由兩種元件高度的標準元件組成的集成電路結構，包含：

至少一第一標準元件，包含一第一元件高度，該第一標準元件包含單一第一摻雜區與多個第二摻雜區，該第一摻雜區包含一第一導電類型，所述第二摻雜區包含一第二導電類型，且該第一導電類型與該第二導電類型彼此互補，其中該第一摻雜區的面積小于位于該第一標準組件上端的所述第二摻雜區的面積總和且小于位于該第一標準組件下端的所述第二摻雜區的面積總和；

至少一第二標準元件，包含一第二元件高度，且該第二元件高度為該第一元件高度的一半；以及

一第一導線，延伸經過該第一標準元件的中央。

9.根據權利要求8所述的集成電路結構，其中該第二標準元件還包含至少一個以上的第三摻雜區與至少一個以上的第四摻雜區，該第三摻雜區包含該第一導電類型，該第四摻雜區包含該第二導電類型。

10.根據權利要求8所述的集成電路結構，其中該第一標準元件還包含多個第一柵極電極，該第二標準元件還包含多個第二柵極電極。

11.根據權利要求10所述的集成電路結構，還包含多個柵極連接層，形成于所述第二柵極電極之間且電性連接所述第二柵極電極，所述第二柵極電極與所述柵極連接層包含相同的材料且形成于相同膜層。

12.根據權利要求11所述的集成電路結構，其中該第一標準元件不包含任何柵極連接層。

13.根據權利要求8所述的集成電路結構，還包含一對第二導線，分別延伸經過該第一標準元件的頂端與底端。

14.根據權利要求13所述的集成電路結構，其中該對第二導線的其中之一穿過該第二標準元件的頂端或底端。

15.根據權利要求14所述的集成電路結構，其中該第一導線延伸經過該第二標準元件內該第二導線經過的另一端。