[發明專利]掩膜板設計中劃片槽結構設計的檢查方法

有效

• 申請號: 201410546523.6
• 申請日: 2014-10-16
• 公開（公告）號: CN105574029B
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發明（設計）人: 張燕榮;張興洲
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

本發明公開了一種掩膜板設計中劃片槽結構設計的檢查方法，包括如下步驟：制定工藝的標準配置文件；將各標準配置文件導入到數據庫中進行存儲；根據實際的工藝需要進行掩膜板設計，設計完成后，采用圖形用戶界面方式提取需要檢查的劃片槽結構的版圖數據，解析劃片槽結構的版圖數據的各類對準標記和測試圖形的信息，然后從數據庫中選擇對應的標準配置文件，將解析得到的各類對準標記或測試圖形的信息和標準配置文件中的對準標記的信息進行對比操作并輸出檢查結果；分析檢查結果并保存；根據對檢查結果的分析確認劃片槽結構設計是否合格。本發明能縮短檢查時間、提高工作效率并有效降低失誤率。

技術領域

本發明涉及一種半導體集成電路制造工藝方法，特別是涉及一種掩膜板設計中劃片槽結構設計的檢查方法。

背景技術

劃片槽結構設計是在掩膜板設計業務中繼產品設計數據輸入檢查之后，EB處理和掩模板制作之前所進行的設計，其中EB處理為層演算生成用于掩模板制作的數據。主要是根據掩模板的尺寸規格按照芯片的尺寸進行切割線的版圖排列設計，同時切割線上放置制品工程所需的各種光刻對準和測試用的圖形，最后生成掩膜板制作前的最終版圖數據。

隨著掩膜板設計業務中涉及到的工藝不斷增多，檢查劃片槽數據中的對準測試標記是否放置完整以及滿足放置要求等工作也隨之變得更加復雜和易于出錯。每一層光刻都需要其相應的對準圖形，一個新的工藝通常會有共計上百個甚至幾百個對準或測試圖形，以0.13μm工藝為例：BOX MARK 44個，ROT MARK 8個，WAM 51個，LSA 15個，FIA 32個，PCM 65個，共計215個，其中BOX MARK是在一片硅片(Wafer)曝光完成之后用來檢測曝光質量的測試圖形，ROT MARK用于第一步光刻工程的對準標記，WAM是一種晶圓的對準標記，LSA是激光步對準標記，FIA是場成像對準標記，PCM是用于檢測工藝所需各種特性參數的測試圖形，都是半導體集成電路制造使用到的不同種類的對準或測試圖形。按照現有的檢查方法，需要工程師通過檢查表與實際數據相比較，需要花費大量的時間，且易出錯，導致光刻對準或測試圖形漏放，不能保證正確性。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種掩膜板設計中劃片槽結構設計的檢查方法，能縮短檢查時間、提高工作效率并有效降低失誤率。

為解決上述技術問題，本發明提供的掩膜板設計中劃片槽結構設計的檢查方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、為每一種工藝制定一個對應的標準配置文件，所述標準配置文件中設置有對應的工藝的劃片槽的所有對準標記或測試圖形的信息。

步驟二、將各所述標準配置文件導入到數據庫中進行存儲，所述數據庫中的各所述標準配置文件按照對應的工藝的名稱區分。

步驟三、根據實際的工藝需要進行掩膜板設計，在所述掩膜板設計中的劃片槽結構設計完成后，采用圖形用戶界面方式提取需要檢查的所述劃片槽結構的版圖數據，解析所述劃片槽結構的版圖數據的各類對準標記和測試圖形的信息，然后從所述數據庫中選擇所述掩膜板設計中的工藝所對應的所述標準配置文件，將解析的所述劃片槽結構的版圖數據的各類對準標記的信息和所對應的所述標準配置文件中的對準標記的信息進行對比操作，將解析的所述劃片槽結構的版圖數據的各類測試圖形的信息和所對應的所述標準配置文件中的測試圖形的信息進行對比操作，并將所述對比操作的檢查結果輸出。

步驟四、分析所述圖形用戶界面上輸出的檢查結果并將所述檢查結果文件保存。

步驟五、根據對所述檢查結果的分析確認所述劃片槽結構設計是否合格：如果所提取的所述劃片槽結構的版圖數據的各類對準標記和測試圖形的信息和對應的所述標準配置文件中的對準標記或測試圖形的信息一致，則所提取的所述劃片槽結構的版圖數據的各類對準標記和測試圖形的信息符合劃片槽設計規則，判定所述劃片槽結構設計合格；否則，判定所述劃片槽結構設計不合格。

進一步的改進是，步驟一中為各工藝制定對應的所述標準配置文件包括如下步驟：