[發明專利]掩膜板設計中劃片槽結構設計的檢查方法有效
| 申請號: | 201410546523.6 | 申請日: | 2014-10-16 |
| 公開(公告)號: | CN105574029B | 公開(公告)日: | 2019-03-26 |
| 發明(設計)人: | 張燕榮;張興洲 | 申請(專利權)人: | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號: | G06F17/50 | 分類號: | G06F17/50 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四華 |
| 地址: | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 掩膜板 設計 劃片 結構設計 檢查 方法 | ||
1.一種掩膜板設計中劃片槽結構設計的檢查方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟一、為每一種工藝制定一個對應的標準配置文件,所述標準配置文件中設置有對應的工藝的劃片槽的所有對準標記或測試圖形的信息;
步驟二、將各所述標準配置文件導入到數據庫中進行存儲,所述數據庫中的各所述標準配置文件按照對應的工藝的名稱區分;
步驟三、根據實際的工藝需要進行掩膜板設計,在所述掩膜板設計中的劃片槽結構設計完成后,采用圖形用戶界面方式提取需要檢查的所述劃片槽結構的版圖數據,所述劃片槽結構的設計是在掩膜板設計業務中繼產品設計數據輸入檢查之后,EB處理和掩膜板制作之前所進行的設計,其中EB處理為層演算生成用于掩膜板制作的數據;所述劃片槽結構的設計是根據掩膜板的尺寸規格按照芯片的尺寸進行切割線的版圖排列設計,同時切割線上放置制品工程所需的各種光刻對準和測試用的圖形,最后生成掩膜板制作前的最終版圖數據;
解析所述劃片槽結構的版圖數據的各類對準標記和測試圖形的信息,然后從所述數據庫中選擇所述掩膜板設計中的工藝所對應的所述標準配置文件,將解析的所述劃片槽結構的版圖數據的各類對準標記的信息和所對應的所述標準配置文件中的對準標記的信息進行對比操作,將解析的所述劃片槽結構的版圖數據的各類測試圖形的信息和所對應的所述標準配置文件中的測試圖形的信息進行對比操作,并將所述對比操作的檢查結果輸出;
步驟四、分析所述圖形用戶界面上輸出的檢查結果并將所述檢查結果文件保存;
步驟五、根據對所述檢查結果的分析確認所述劃片槽結構設計是否合格:如果所提取的所述劃片槽結構的版圖數據的各類對準標記和測試圖形的信息和對應的所述標準配置文件中的對準標記或測試圖形的信息一致,則所提取的所述劃片槽結構的版圖數據的各類對準標記和測試圖形的信息符合劃片槽設計規則,判定所述劃片槽結構設計合格;否則,判定所述劃片槽結構設計不合格。
2.如權利要求1所述的掩膜板設計中劃片槽結構設計的檢查方法,其特征在于:步驟一中為各工藝制定對應的所述標準配置文件包括如下步驟:
步驟11、確定對應工藝所支持的最低和最高金屬層數;
步驟12、確定對應工藝包含多少個可選層次;
步驟13、結合電子文檔規格書查找對應工藝的劃片槽的所有對準標記或測試圖形的信息;
步驟14、結合步驟11所確定的所述最低和最高金屬層數、步驟12確定的所述可選層次以及步驟13所得到的信息進行算法組合形成所述標準配置文件所要求格式的各所述對準標記或各所述測試圖形的信息;
步驟15、整理步驟14進行算法組合形成的各所述對準標記或各所述測試圖形的信息,每一行對應于一個各所述對準標記或各所述測試圖形的信息記錄,由對應工藝的所有的所述對準標記和所述測試圖形的信息記錄組成對應的工藝的所述標準配置文件。
3.如權利要求1所述的掩膜板設計中劃片槽結構設計的檢查方法,其特征在于:步驟二中還能根據需要對存儲于所述數據庫中的所述標準配置文件進行修改、追加或刪除。
4.如權利要求1所述的掩膜板設計中劃片槽結構設計的檢查方法,其特征在于:當步驟三中的所述掩膜板設計所對應的實際工藝為以前所沒有使用過的新工藝時,該新工藝所對應的所述標準配置文件不存在于所述數據庫中,需要進行步驟一和二將該新工藝所對應的所述標準配置文件導入到所述數據庫;
當步驟三中的所述掩膜板設計所對應的實際工藝為以前使用過的舊工藝時,該舊工藝所對應的所述標準配置文件存在于所述數據庫中,此時需要比較所述實際工藝和所述舊工藝相比是否增加了或刪除了相應的所述對準標記或所述測試圖形,如增加了或刪除了相應的所述對準標記或所述測試圖形則需要在所述數據庫中對所述舊工藝的所述標準配置文件進行相應的所述對準標記或所述測試圖形的增加或刪減;如果需要比較所述實際工藝和所述舊工藝相比所對應的所述對準標記或所述測試圖形都相同,則不需要對所述舊工藝的所述標準配置文件進行修改。
5.如權利要求1所述的掩膜板設計中劃片槽結構設計的檢查方法,其特征在于:步驟二中所述數據庫為sqlite數據庫。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華虹宏力半導體制造有限公司,未經上海華虹宏力半導體制造有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410546523.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種從圖像中重建枝干模型的方法
- 下一篇:半導體器件的制造方法





