[發明專利]一種產品制作過程中硅片表面的檢測方法及系統在審
| 申請號: | 201410544833.4 | 申請日: | 2014-10-15 |
| 公開(公告)號: | CN104319246A | 公開(公告)日: | 2015-01-28 |
| 發明(設計)人: | 谷士斌;張林;田小讓;何延如;趙冠超;楊榮;孟原;郭鐵 | 申請(專利權)人: | 新奧光伏能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 065001 河北省*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 產品 制作 過程 硅片 表面 檢測 方法 系統 | ||
技術領域
本發明涉及硅片表面檢測技術領域,尤其涉及一種產品制作過程中硅片表面的檢測方法及系統。
背景技術
在太陽能電池等產品的制作工藝中,硅片的表面檢測是非常重要的一環。因為硅片非常薄而且非常脆,在生產的過程中經常會出現崩邊、缺角、裂痕等情況。在產品的制作工程中硅片表面也經常會出現液體殘留、絲網斷柵、成膜不均勻等缺陷。存在這些缺陷的硅片都是不合格的,硅片表面是否合格直接影響到產品制作過程中后面工序的制作。因此為防止不合格的硅片進入后續流程,需要對硅片的進行表面檢測。現有技術中硅片表面的檢測方法,是將檢測合格的硅片進行產品制作過程中的下一個工序處理;將檢測不合格的硅片進行廢棄處理。這種硅片表面的檢測方法的廢棄率較高。
發明內容
本發明實施例的目的是提供一種產品制作過程中硅片表面的檢測方法及系統,用于解決產品制作過程中硅片表面的檢測方法中存在的硅片廢棄率比較高的問題。
本發明實施例的目的是通過以下技術方案實現的:
一種產品制作過程中硅片表面的檢測方法,包括:
獲取用于制作產品的硅片的表面圖像;
根據所述表面圖像確定所述硅片的表面類型;
如果所述表面類型為無缺陷型,將所述硅片進行所述產品制作過程的下一步工序處理;
如果所述表面類型為不可修復缺陷型,將所述硅片進行廢棄處理;
如果所述表面類型為可修復缺陷型,將所述硅片進行修復。
較佳地,獲取用于制作產品的硅片的表面圖像,包括:
通過掃描獲取用于制作產品的硅片的表面圖像。
較佳地,獲取用于制作產品的硅片的表面圖像,根據所述表面圖像確定所述硅片的表面類型,包括:
獲取所述硅片的一個表面的表面圖像;
根據所述一個表面的表面圖像確定所述一個表面的表面類型;
如果所述一個表面的表面類型是不可修復缺陷型,確定所述硅片的表面類型為不可修復型;
如果所述一個表面的表面類型是可修復型或者無缺陷型,獲取所述硅片的另一個表面的表面圖像;
根據所述另一個表面的表面圖像確定所述另一個表面的表面類型;
如果所述另一個表面的表面類型為不可修復缺陷型,確定所述硅片的表面類型為不可修復型;
如果兩個表面的表面類型均為無缺陷型,確定所述硅片的表面類型為無缺陷型;
如果至少一個表面的表面類型為可修復缺陷型,確定所述硅片的表面類型為可修復型。
較佳地,獲取所述硅片的一個表面的表面圖像,包括:
使用第一圖像采集裝置獲取所述硅片的一個表面的表面圖像;
獲取所述硅片的另一個表面的表面圖像,包括:
使用與所述第一圖像采集裝置相對設置的第二圖像采集裝置獲取所述硅片的另一個表面的表面圖像。
較佳地,根據所述表面圖像確定所述硅片的表面類型,包括:
如果根據所述表面圖像確定所述硅片的表面完整且無液體殘留,確定所述硅片的表面類型為無缺陷型;如果根據所述表面圖像確定所述硅片的表面完整,但存在液體殘留,確定所述硅片的表面類型為可修復型;如果根據所述表面圖像確定所述硅片的表面不完整,確定所述硅片的表面類型為不可修復型;或者,
如果根據所述表面圖像確定所述硅片的表面完整、成膜均勻且完整,確定所述硅片的表面類型為無缺陷型;如果根據所述表面圖像確定所述硅片的表面完整,但薄膜材料部分區域沒有成膜或者成膜不均勻,確定所述硅片的表面類型為可修復型;如果根據所述表面圖像確定所述硅片的表面不完整,確定所述硅片的表面類型為不可修復型;或者,
如果根據所述表面圖像確定所述硅片的表面完整,且絲網斷點數少于N1個點,確定所述硅片的表面類型為無缺陷型;如果根據所述表面圖像確定所述硅片的表面完整,絲網斷點數在N1~N2之間,確定所述硅片的表面類型為可修復型;如果根據所述表面圖像確定所述硅片的表面不完整和/或絲網斷點數大于N2,確定所述硅片的表面類型為不可修復型,N2大于N1,且均為整數。
一種產品制作過程中硅片表面的檢測系統,包括:
圖像采集子系統,用于獲取用于制作產品的硅片的表面圖像;
分類處理裝置,用于根據所述表面圖像確定所述硅片的表面類型;如果所述表面類型為無缺陷型,將所述硅片傳送到所述產品制作過程的下一步工序的處理裝置;如果所述表面類型為不可修復缺陷型,將所述硅片傳送到廢棄處理裝置;如果所述表面類型為可修復缺陷型,將所述硅片傳送到修復裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





