[發(fā)明專利]一種產(chǎn)品制作過(guò)程中硅片表面的檢測(cè)方法及系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410544833.4 | 申請(qǐng)日: | 2014-10-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104319246A | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-01-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 谷士斌;張林;田小讓;何延如;趙冠超;楊榮;孟原;郭鐵 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 新奧光伏能源有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 065001 河北省*** | 國(guó)省代碼: | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 產(chǎn)品 制作 過(guò)程 硅片 表面 檢測(cè) 方法 系統(tǒng) | ||
1.一種產(chǎn)品制作過(guò)程中硅片表面的檢測(cè)方法,其特征在于,包括:
獲取用于制作產(chǎn)品的硅片的表面圖像;
根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面類型;
如果所述表面類型為無(wú)缺陷型,將所述硅片進(jìn)行所述產(chǎn)品制作過(guò)程的下一步工序處理;
如果所述表面類型為不可修復(fù)缺陷型,將所述硅片進(jìn)行廢棄處理;
如果所述表面類型為可修復(fù)缺陷型,將所述硅片進(jìn)行修復(fù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,獲取用于制作產(chǎn)品的硅片的表面圖像,包括:
通過(guò)掃描獲取用于制作產(chǎn)品的硅片的表面圖像。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其特征在于,獲取用于制作產(chǎn)品的硅片的表面圖像,根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面類型,包括:
獲取所述硅片的一個(gè)表面的表面圖像;
根據(jù)所述一個(gè)表面的表面圖像確定所述一個(gè)表面的表面類型;
如果所述一個(gè)表面的表面類型是不可修復(fù)缺陷型,確定所述硅片的表面類型為不可修復(fù)型;
如果所述一個(gè)表面的表面類型是可修復(fù)型或者無(wú)缺陷型,獲取所述硅片的另一個(gè)表面的表面圖像;
根據(jù)所述另一個(gè)表面的表面圖像確定所述另一個(gè)表面的表面類型;
如果所述另一個(gè)表面的表面類型為不可修復(fù)缺陷型,確定所述硅片的表面類型為不可修復(fù)型;
如果兩個(gè)表面的表面類型均為無(wú)缺陷型,確定所述硅片的表面類型為無(wú)缺陷型;
如果至少一個(gè)表面的表面類型為可修復(fù)缺陷型,確定所述硅片的表面類型為可修復(fù)型。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,獲取所述硅片的一個(gè)表面的表面圖像,包括:
使用第一圖像采集裝置獲取所述硅片的一個(gè)表面的表面圖像;
獲取所述硅片的另一個(gè)表面的表面圖像,包括:
使用與所述第一圖像采集裝置相對(duì)設(shè)置的第二圖像采集裝置獲取所述硅片的另一個(gè)表面的表面圖像。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面類型,包括:
如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整且無(wú)液體殘留,確定所述硅片的表面類型為無(wú)缺陷型;如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整,但存在液體殘留,確定所述硅片的表面類型為可修復(fù)型;如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面不完整,確定所述硅片的表面類型為不可修復(fù)型;或者,
如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整、成膜均勻且完整,確定所述硅片的表面類型為無(wú)缺陷型;如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整,但薄膜材料部分區(qū)域沒(méi)有成膜或者成膜不均勻,確定所述硅片的表面類型為可修復(fù)型;如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面不完整,確定所述硅片的表面類型為不可修復(fù)型;或者,
如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整,且絲網(wǎng)斷點(diǎn)數(shù)少于N1個(gè)點(diǎn),確定所述硅片的表面類型為無(wú)缺陷型;如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整,絲網(wǎng)斷點(diǎn)數(shù)在N1~N2之間,確定所述硅片的表面類型為可修復(fù)型;如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面不完整和/或絲網(wǎng)斷點(diǎn)數(shù)大于N2,確定所述硅片的表面類型為不可修復(fù)型,N2大于N1,且均為整數(shù)。
6.一種產(chǎn)品制作過(guò)程中硅片表面的檢測(cè)系統(tǒng),其特征在于,包括:
圖像采集子系統(tǒng),用于獲取用于制作產(chǎn)品的硅片的表面圖像;
分類處理裝置,用于根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面類型;如果所述表面類型為無(wú)缺陷型,將所述硅片傳送到所述產(chǎn)品制作過(guò)程的下一步工序的處理裝置;如果所述表面類型為不可修復(fù)缺陷型,將所述硅片傳送到廢棄處理裝置;如果所述表面類型為可修復(fù)缺陷型,將所述硅片傳送到修復(fù)裝置。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng),其特征在于,所述圖像采集子系統(tǒng)具體用于:
通過(guò)掃描獲取用于制作產(chǎn)品的硅片的表面圖像。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





