[發明專利]一種掩膜框架、掩膜板及其制作方法有效
| 申請號: | 201410540132.3 | 申請日: | 2014-10-13 |
| 公開(公告)號: | CN104298069A | 公開(公告)日: | 2015-01-21 |
| 發明(設計)人: | 吳海東;金泰逵;白娟娟;馬群 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司 |
| 主分類號: | G03F1/64 | 分類號: | G03F1/64 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 框架 掩膜板 及其 制作方法 | ||
技術領域
本發明涉及掩膜板技術領域,尤其涉及一種掩膜框架、掩膜板及其制作方法。
背景技術
在顯示器的制作過程中,經常通過構圖工藝形成圖案化的層結構。構圖工藝通常包含:在薄膜上涂光刻膠,利用掩膜板對所述光刻膠進行曝光、顯影、刻蝕等步驟,以使得薄膜形成與掩膜板相同或相反的圖案。
如圖1、圖2所示為用于形成像素單元的掩膜板,包括矩形的掩膜框架10和多個掩膜條20(即掩膜條a-掩膜條i)。掩膜條20上包括多個像素圖案,掩膜條20相對的兩端分別有焊接點21,掩膜條20沿101方向焊接在掩膜框架10上。為了防止掩膜條變形中間部位下垂、變形,造成掩膜圖案形狀差異和位置偏離,導致顯示面板出現色偏、混色等顯示不良,如圖2所示,在將掩膜條20焊接在掩膜框架10的過程中,需要給掩膜條20一個拉伸力F1,同時給掩膜框架10一個擠壓力F2,以保證焊接完成后掩膜條20維持拉伸時的形狀。然而,掩膜框架10在變形收縮過程中,不同位置處對掩膜條20的拉伸力不均,一般掩膜框架10在沿掩膜條20排布方向即101方向的中間位置處對掩膜條20的拉伸力較小,如圖1所示的虛線,進而造成位于掩膜框架10中間位置處的像素圖案與其相對兩側位置處的像素圖案之間仍然存在形狀差異和位置偏離。
發明內容
本發明的實施例提供一種掩膜框架、掩膜板及其制作方法,解決了現有的掩膜條在掩膜板的不同位置處拉伸力不均的問題。
為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案:
第一方面,本發明實施例提供了一種掩膜框架,包括框架主體、彈性裝置以及位于框架主體相對的兩側的兩個固定部,每個所述固定部通過所述彈性裝置與所述框架主體連接固定。
第二方面,本發明實施例提供了一種掩膜板,包括多個掩膜條以及本發明實施例提供的任一所述的掩膜框架,所述掩膜條相對的兩端分別與位于框架主體相對的兩側的固定部固定。
第三方面,本發明實施例提供了一種掩膜板的制作方法,包括:擠壓固定部,彈性裝置發生彈性形變以使得所述固定部靠近框架主體,將掩膜條與所述固定部連接固定,取消擠壓。
本發明實施例提供的一種掩膜框架、掩膜板及其制作方法,所述掩膜框架,包括框架主體、彈性裝置以及位于框架主體相對的兩側的兩個固定部,每個固定部分別通過彈性裝置與框架主體連接固定,當框架主體用于支撐掩膜條,將掩膜條與固定部固定時,可以是僅通過擠壓固定部,彈性裝置發生彈性形變以使得固定部靠近掩膜框架,進而使得將掩膜條與固定部固定。固定連接后,取消對固定部的擠壓,為了恢復原狀,彈性裝置對固定部產生使得固定部遠離框架主體的彈力,進而對固定在固定部上的掩膜條以拉伸力,防止掩膜條變形中間部位下垂,造成顯示面板出現色偏、混色等不良;且彈性裝置可以均衡各個掩膜條所受到的拉伸力,使得固定在不同位置處的掩膜條所受到的拉伸力趨向均勻,進而可以提高形成的掩膜圖案的精度,改善由于掩膜圖案偏離造成的色偏、混色等顯示不良。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動性的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為現有技術中的掩膜板示意圖;
圖2為現有技術固定掩膜條的示意圖;
圖3為本發明實施例提供的一種掩膜框架示意圖;
圖4為本發明實施例提供的另一種掩膜框架示意圖;
圖5為本發明實施例提供的一種掩膜板示意圖。
附圖標記:
10-掩膜框架;11-框架主體;12-固定部;13-彈性裝置;20-掩膜條;21-焊接點。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例中的附圖,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例,而不是全部的實施例。
本發明實施例提供了一種掩膜框架,如圖3所示,包括框架主體11、彈性裝置13以及位于框架主體11相對的兩側的兩個固定部12,每個固定部12通過彈性裝置13與框架主體11連接固定。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





