[發明專利]封裝結構及其制法在審
| 申請號: | 201410538088.2 | 申請日: | 2014-10-13 |
| 公開(公告)號: | CN105575915A | 公開(公告)日: | 2016-05-11 |
| 發明(設計)人: | 蔣靜雯;陳光欣;陳賢文 | 申請(專利權)人: | 矽品精密工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/13 | 分類號: | H01L23/13;H01L23/498;H01L21/58;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 結構 及其 制法 | ||
1.一種封裝結構,包括:
承載件,其具有相對的第一表面與第二表面,且該第一表面上形 成有至少一凹槽;
至少一電子元件,其設于該凹槽中;
絕緣層,其形成于該凹槽中,以包覆該電子元件;
線路部,其形成于該承載件的第一表面上且電性連接該電子元件; 以及
多個導電體,其設于該承載件中并連通該承載件的第一表面與第 二表面,且該導電體電性連接該線路部。
2.如權利要求1所述的封裝結構,其特征為,該承載件為經封裝 或未經封裝的半導體元件。
3.如權利要求1所述的封裝結構,其特征為,該承載件為封裝基 板、半導體晶片、晶圓或中介板。
4.如權利要求1所述的封裝結構,其特征為,該電子元件外露于 該承載件的第二表面。
5.如權利要求1所述的封裝結構,其特征為,該電子元件凸出該 第一表面。
6.如權利要求1所述的封裝結構,其特征為,該絕緣層的表面與 該電子元件的表面齊平。
7.如權利要求1所述的封裝結構,其特征為,形成該絕緣層的材 質為模封材、干膜材、線路增層材或光阻材。
8.如權利要求1所述的封裝結構,其特征為,該封裝結構還包括 至少一設于該承載件的第二表面上的介電層,且于該介電層上設有一 電性連接該導電體的線路層。
9.如權利要求1所述的封裝結構,其特征為,該封裝結構還包括 多個導電元件,其設于該線路部上。
10.如權利要求1所述的封裝結構,其特征為,該封裝結構還包括 另一電子元件,其設于該承載件的第二表面上并電性連接該導電體。
11.一種封裝結構的制法,其包括:
提供一具有相對的第一表面與第二表面的承載件,且該第一表面 上形成有至少一凹槽;
設置至少一電子元件于該凹槽中;
形成絕緣層于該凹槽中,以包覆該電子元件,且該電子元件外露 于該絕緣層;
形成線路部于該承載件的第一表面上,且該線路部電性連接該電 子元件;
形成多個貫穿該承載件的該第一表面與該第二表面的穿孔;以及
形成導電材于該穿孔中以作為導電體,并令該些導電體電性連接 該線路部。
12.如權利要求11所述的封裝結構的制法,其特征為,該承載件 為經封裝或未經封裝的半導體元件。
13.如權利要求11所述的封裝結構的制法,其特征為,該承載件 為封裝基板、半導體晶片、晶圓或中介板。
14.如權利要求11所述的封裝結構的制法,其特征為,該電子元 件外露于該承載件的第二表面。
15.如權利要求11所述的封裝結構的制法,其特征為,該電子元 件凸出該第一表面。
16.如權利要求11所述的封裝結構的制法,其特征為,該絕緣層 的表面與該電子元件的表面齊平。
17.如權利要求11所述的封裝結構的制法,其特征為,形成該絕 緣層的材質為模封材、干膜材、線路增層材或光阻材。
18.如權利要求11所述的封裝結構的制法,其特征為,該制法還 包括形成至少一介電層于該承載件的第二表面上,且形成線路層于該 介電層上,該線路層電性連接該導電體。
19.如權利要求11所述的封裝結構的制法,其特征為,該制法還 包括形成多個導電元件于該線路部上。
20.如權利要求11所述的封裝結構的制法,其特征為,該制法還 包括設置另一電子元件于該承載件的第二表面上,且該另一電子元件 電性連接該導電體。
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