[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410538013.4
• 申請日: 2014-10-13
• 公開（公告）號: CN105576023B
• 公開（公告）日: 2019-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張海洋;鄭喆
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 高偉;馮永貞

1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：

步驟S1：提供基底，在所述基底中形成有若干鰭片，在所述鰭片上形成有間隙壁材料層；

步驟S2：在所述基底上形成掩膜疊層并圖案化，以形成開口，所述開口露出所述間隙壁材料層；

步驟S3：蝕刻所述間隙壁材料層，以在所述鰭片的側(cè)壁上形成間隙壁并露出所述鰭片；

步驟S4：蝕刻所述間隙壁和所述鰭片，以在所述鰭片的頂部形成平坦的表面；

步驟S5：圓化所述鰭片的頂部，以得到圓滑的表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S2中圖案化的同時和/或在所述步驟S3中蝕刻所述間隙壁材料層的同時會在所述鰭片的頂部形成V形凹槽。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述步驟S4包括：

步驟S411：蝕刻所述鰭片至所述凹槽的底部，以在所述鰭片的頂部形成所述平坦的表面；

步驟S412：蝕刻所述間隙壁至所述鰭片的頂部。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在所述步驟S411中選用各向同性的化學(xué)干法蝕刻方法蝕刻所述鰭片。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述步驟S4包括：

步驟S421：蝕刻所述間隙壁至所述凹槽的底部或者全部去除；

步驟S422：蝕刻所述鰭片至所述凹槽的底部，以在所述鰭片的頂部形成所述平坦的表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在所述步驟S421中選用循環(huán)凹陷蝕刻的方法蝕刻所述間隙壁；

在所述步驟S422中選用化學(xué)干法蝕刻的方法蝕刻所述鰭片。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在所述步驟S5之后還進(jìn)一步包括在所述鰭片上外延SiGe的步驟，以包圍所述鰭片的頂部。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S1中，所述若干鰭片之間形成有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S2包括：

步驟S21：在所述基底上依次形成有機(jī)分布層、硬掩膜層、含硅的抗反射涂層以及具有所述開口的光刻膠層，以形成所述掩膜疊層；

步驟S22：以所述光刻膠層為掩膜蝕刻所述含硅的抗反射涂層，以將所述開口轉(zhuǎn)移至所述含硅的抗反射涂層中，并剝離所述光刻膠層；

步驟S23：以所述含硅的抗反射涂層為掩膜蝕刻所述硬掩膜層，以在所述硬掩膜層中形成所述開口；

步驟S24：以所述硬掩膜層為掩膜蝕刻所述有機(jī)分布層，以露出所述間隙壁材料層；

步驟S25：去除所述含硅的抗反射涂層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜層選用氧化物層。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在所述步驟S21中形成所述掩膜疊層之后，在所述光刻膠層中注入等離子體束，以使所述開口的側(cè)壁更加光滑。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述圓滑的表面為具有一定弧度的曲面。

13.一種基于權(quán)利要求1至12之一所述的方法制備得到的半導(dǎo)體器件。

14.一種電子裝置，包括權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件。