[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件的制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410537891.4 | 申請日： | 2014-10-13 |
| 公開（公告）號： | CN105489548B | 公開（公告）日： | 2018-10-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄧浩 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務(wù)所 11336 | 代理人： | 董巍;高偉 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氮化鋁層 銅互連結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體器件 層間介電層 覆蓋層 襯底 半導(dǎo)體 電介質(zhì) 氮氣 高分子化合物 氨氣處理 交替重復(fù) 器件提供 氮元素 電遷移 附著性 介電層 良品率 鋁元素 頂面 制作 浸潤 清洗 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括：
步驟一、提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成層間介電層和位于所述層間介電層中的銅互連結(jié)構(gòu)，采用硅烷處理所述銅互連結(jié)構(gòu)的頂面以形成硅化銅層；
步驟二、采用含鋁元素和氮元素的高分子化合物浸潤和清洗所述層間介電層和所述銅互連結(jié)構(gòu)的頂面；
步驟三、進行氮氣或氨氣處理，以形成氮化鋁層；
步驟四、交替重復(fù)所述步驟二和步驟三，直到所述氮化鋁層的厚度達到預(yù)定值；
步驟五、在所述氮化鋁層上形成電介質(zhì)覆蓋層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟二之前，還包括使用氮氣或者氨氣處理所述銅互連結(jié)構(gòu)頂面的步驟。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述含鋁元素和氮元素的高分子化合物為三(二乙氨基)鋁。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化鋁層的厚度預(yù)定值為30～60埃。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化鋁層中的硅含量自下而上逐漸減少。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在進行所述步驟四時，所述硅化銅層轉(zhuǎn)變?yōu)镃uAlSiN層。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述層間介電層和所述半導(dǎo)體襯底之間形成有刻蝕停止層。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述電介質(zhì)覆蓋層材料為氮化硅或者摻碳的氮化硅。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司，未經(jīng)中芯國際集成電路制造（上海）有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410537891.4/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
