[發明專利]OLED器件的制備方法及其制得的OLED器件在審
| 申請號: | 201410537662.2 | 申請日: | 2014-10-13 |
| 公開(公告)號: | CN104241553A | 公開(公告)日: | 2014-12-24 |
| 發明(設計)人: | 劉亞偉;王宜凡 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 器件 制備 方法 及其 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種OLED器件的制備方法及其制得的OLED器件。
背景技術
有機發光二極管顯示器(Organic?Light?Emitting?Diode,OLED)是一種極具發展前景的平板顯示技術,它不僅具有十分優異的顯示性能,還具有自發光、結構簡單、超輕薄、響應速度快、寬視角、低功耗及可實現柔性顯示等特性,被譽為“夢幻顯示器”,再加上其生產設備投資遠小于液晶顯示器(Liquid?Crystal?Display,LCD),得到了各大顯示器廠家的青睞,已成為顯示技術領域中第三代顯示器件的主力軍。
半導體納米晶(semiconductor?nanocrystals,縮寫NCs),是指尺寸為1-100nm的半導體納米晶粒。由于半導體納米晶的尺寸小于其他材料的激子波爾半徑,表現出強的量子限域效應,呈現出新的材料性質,因此也稱為量子點(quantum?dots,縮寫QDs)。
由于外部能量的激發(光致發光,電致發光,陰極射線發光等),電子從基態躍遷到激發態。處于激發態的電子和空穴可能會形成激子。電子與空穴發生復合,最終弛豫到基態。多余的能量通過復合和弛豫過程釋放,可能輻射復合發出光子。
量子點發光二極管(Quantum?Dots?Light?Emitting?Diodes,QD-LEDs)具有重要的商業應用的價值,在最近十年引起人們強烈的研究興趣。事實上,QD-LEDs相對于有機發光二極管(Organic?Light?Emitting?Diodes,OLEDs)有很多的優勢:(1)量子點發光的線寬在20-30nm之間,相對于有機發光大于50nm的發光,FWHM要窄,這對于現實畫面的色純度起關鍵的作用。(2)無機材料相對于有機材料表現出更好的熱穩定性。當器件處于高亮度或高電流密度下,焦耳熱是使器件退化的主要原因。由于優異的熱穩定性,基于無機材料的器件將表現出長的使用壽命。(3)由于紅綠藍三基色有機材料的壽命不同,OLEDs顯示器的顏色將隨時間變化。然而,用同一種材料合成不同尺寸的量子點,由于量子限域效應,可以實現三基色的發光。同一種材料可以表現出相似的退化壽命。(4)QD-LEDs可以實現紅外光的發射,而有機材料的發光波長一般小于1微米。(5)對于量子點沒有自旋統計的限制,其外量子效率(external?quantum?efficiency,EQE)有可能達到100%。
然而在OLED器件熱蒸鍍制程時需要使用精細掩膜板(Fine?metal?mask,簡稱FMM),不僅制程成本高,而且材料利用率低,良品率低。因此有必要研發一種新的制程簡單,材料利用率高,良品率高的OLED器件。
發明內容
本發明的目的在于提供一種OLED器件的制備方法及其制得的OLED器件,其發光層中的各種子像素均采用溶液成膜法制備,其中,至少一種子像素采用量子點制備,至少一種子像素采用有機發光材料制備,所述OLED器件的制作過程中不需要使用精細掩膜板,因此制作成本低,材料利用率高,良品率高。
為實現上述目的,本發明提供一種OLED器件的制備方法,包括:
步驟1、提供一基板,并在基板上依次形成陽極與空穴傳輸層;
步驟2、在空穴傳輸層上通過溶液成膜法制作發光層,所述發光層包括紅色子像素、綠色子像素與藍色子像素,其中,至少一種子像素采用量子點制備,至少一種子像素采用有機發光材料制備;
步驟3、在發光層上依次形成電子傳輸層與陰極;
步驟4、提供一封裝蓋板,其設置于陰極上方,將所述基板與封裝蓋板通過密封膠框粘結起來,從而完成該OLED器件的封裝。
所述陽極、空穴傳輸層、電子傳輸層、及陰極分別采用真空熱蒸鍍法制備;所述電子傳輸層由八羥基喹啉鋁形成,所述空穴傳輸層由聚三苯胺或者聚乙撐二氧噻吩形成。
所述基板為TFT基板,所述基板與封裝蓋板由玻璃或柔性材料形成,所述基板與封裝蓋板中至少一個透光。
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H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
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H01L51-54 .. 材料選擇





