[發明專利]OLED器件的制備方法及其制得的OLED器件在審
| 申請號: | 201410537662.2 | 申請日: | 2014-10-13 |
| 公開(公告)號: | CN104241553A | 公開(公告)日: | 2014-12-24 |
| 發明(設計)人: | 劉亞偉;王宜凡 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 器件 制備 方法 及其 | ||
1.一種OLED器件的制備方法,其特征在于,包括:
步驟1、提供一基板(1),并在基板(1)上依次形成陽極(21)與空穴傳輸層(22);
步驟2、在空穴傳輸層(22)上通過溶液成膜法制作發光層(23),所述發光層(23)包括紅色子像素(231)、綠色子像素(232)與藍色子像素(233),其中,至少一種子像素采用量子點制備,至少一種子像素采用有機發光材料制備;
步驟3、在發光層(23)上依次形成電子傳輸層(24)與陰極(25);
步驟4、提供一封裝蓋板(2),其設置于陰極(25)上方,將所述基板(1)與封裝蓋板(2)通過密封膠框(3)粘結起來,從而完成該OLED器件的封裝。
2.如權利要求1所述的OLED器件的制備方法,其特征在于,所述陽極(21)、空穴傳輸層(22)、電子傳輸層(24)、及陰極(25)分別采用真空熱蒸鍍法制備;所述電子傳輸層(24)由八羥基喹啉鋁形成,所述空穴傳輸層(22)由聚三苯胺或者聚乙撐二氧噻吩形成。
3.如權利要求1所述的OLED器件的制備方法,其特征在于,所述基板(1)為TFT基板,所述基板(1)與封裝蓋板(2)由玻璃或柔性材料形成,所述基板(1)與封裝蓋板(2)中至少一個透光。
4.如權利要求1所述的OLED器件的制備方法,其特征在于,所述步驟2中,所述至少一種子像素采用量子點制備,如果是紅色子像素(231)采用量子點制備,則所述紅色子像素(231)通過有機主體材料與紅光量子點及溶劑混合,涂覆并揮發去除溶劑后得到;如果是綠色子像素(232)采用量子點制備,則所述綠色子像素(232)通過有機主體材料與綠光量子點及溶劑混合,涂覆并揮發去除溶劑后得到;如果是藍色子像素(233)采用量子點制備,則所述藍色子像素(233)通過有機主體材料與藍光量子點及溶劑混合,涂覆并揮發去除溶劑后得到;所述藍光量子點為ZnCdS、CdSe/ZnS或納米SiN4,所述綠光量子點為CdSe/ZnS或ZnSe:Cu2+,所述紅光量子點為CdSe/CdS/ZnS;所述有機主體材料為4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或2,4,6-三(9H-咔唑-9-基)-1,3,5-三嗪;所述溶劑為甲醇、乙醇、氯苯或氯仿。
5.如權利要求1所述的OLED器件的制備方法,其特征在于,所述步驟2中,所述至少一種子像素采用量子點制備,如果是紅色子像素(231)采用量子點制備,則所述紅色子像素(231)通過紅光量子點與表面包覆劑及溶劑混合,涂覆并揮發去除溶劑后得到;如果是綠色子像素(232)采用量子點制備,則所述綠色子像素(232)通過綠光量子點與表面包覆劑及溶劑混合,涂覆并揮發去除溶劑后得到;如果是藍色子像素(233)采用量子點制備,則所述藍色子像素(233)通過藍光量子點與表面包覆劑及溶劑混合,涂覆并揮發去除溶劑后得到;所述表面包覆劑為硬脂酸、氧化三鋅基膦或聚甲基丙烯酸甲酯;所述溶劑為甲醇、乙醇、水、氯苯或氯仿;所述藍光量子點為ZnCdS、CdSe/ZnS或納米SiN4,所述綠光量子點為CdSe/ZnS或ZnSe:Cu2+,所述紅光量子點為CdSe/CdS/ZnS。
6.如權利要求1所述的OLED器件的制備方法,其特征在于,所述步驟2中,所述至少一種子像素采用量子點制備為所述藍色子像素(233)采用量子點制備。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市華星光電技術有限公司,未經深圳市華星光電技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410537662.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





