[發明專利]具有再分布層和加強件的電子器件及相關方法

有效

• 申請號: 201410537567.2
• 申請日: 2014-10-11
• 公開（公告）號: CN105514080B
• 公開（公告）日: 2018-12-04
• 發明（設計）人: 欒竟恩
• 申請（專利權）人: 意法半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/60
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

本發明涉及具有再分布層和加強件的電子器件及相關方法。電子器件可以包括：集成電路(IC)；導電連接件，耦合至IC；散熱層，鄰近IC并且與導電連接件相對。電子器件可以包括：封裝材料，圍繞IC和導電連接件；再分布層，具有耦合至導電連接件的導電跡線；加強件，位于散熱層和再分布層之間；以及扇出部件，位于散熱層和再分布層之間，并且位于封裝材料內。

技術領域

本公開涉及集成電路器件領域，并且更具體地涉及集成電路器件的封裝以及相關方法。

背景技術

在具有集成電路(IC)的電子器件中，IC典型地安裝在電路板上。為了電路板和IC之間的電耦合連接，IC典型地被“封裝”。IC封裝通常提供用于物理保護IC的小包裝以及提供用于耦合至電路板的接觸焊盤。在一些應用中，封裝IC可以通過焊接凸點耦合至電路板。

IC封裝的一種手段包括方形扁平無引腳(QFN)封裝。QFN封裝可以提供一些優點，諸如減小的引線電感、近芯片尺度足跡、薄側面以及低重量。另外，QFN封裝典型地包括周界I/O焊盤(perimeter I/O pad)以便于電路板跡線布線，并且露出的銅裸片焊盤(die-pad)技術提供增強的熱和電性能。QFN封裝可能正好適合于其中尺寸、重量、以及熱和電性能重要的應用。

首先參照圖1，現在描述典型的球柵陣列(BGA)電子器件200。電子器件200包括散熱層201、一對加強件(stiffener)203a-203b、以及位于加強件和散熱層之間的粘合層202a、202c。電子器件200包括其中具有導電跡線208的電路板層205、位于電路板層和加強件203a-203b之間的另一粘合層204a-204b、以及由電路板層承載的多個球狀接觸件207a-2071。電子器件200包括IC 206、將IC耦合至電路板層205的多個球狀接觸件209a-209j、位于散熱層201和IC之間的粘合層202b、以及在IC周圍并且圍繞多個球狀接觸件的底部填充材料210。

發明內容

總體地，電子器件可以包括：IC；多個導電連接件，耦合至IC；以及散熱層，鄰近IC并且與多個導電連接件相對。電子器件可以包括：封裝材料，圍繞IC和多個導電連接件；再分布層，具有耦合至多個導電連接件的多個導電跡線；加強件，位于散熱層和再分布層之間；以及扇出部件，位于散熱層和再分布層之間并且位于封裝材料內。

更具體地，電子器件可以進一步包括位于散熱層和IC之間的熱界面層。電子器件可以進一步包括耦合至再分布層的多個導電焊球。加強件可以具有鄰近封裝材料的內表面和限定電子器件的外部表面的外表面。加強件可以鄰接并且保持封裝材料。

再分布層可以包括介電層。多個導電跡線由介電層承載，并且耦合至多個導電連接件。扇出部件可以包括例如陶瓷材料。多個導電連接件可以包括焊接凸點和導柱(pillar)中的至少一個。

另一方面涉及一種制造電子器件的方法。該方法可以包括：形成多個導電連接件，該多個導電連接件耦合至IC；將散熱層定位成鄰近IC并且與多個導電連接件相對；以及形成封裝材料，該封裝材料圍繞IC和多個導電連接件。該方法可以包括：定位再分布層，該再分布層具有耦合至多個導電連接件的多個導電跡線；將加強件定位成位于散熱層和再分布層之間；以及將扇出部件定位成位于散熱層和再分布層之間并且位于封裝材料內。

附圖說明

圖1是根據現有技術的電子器件的截面圖。

圖2是根據本公開的電子器件的截面圖。

圖3-圖9是用于制造圖2中電子器件的方法的各步驟的截面圖。

具體實施方式