[發(fā)明專利]具有再分布層和加強(qiáng)件的電子器件及相關(guān)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410537567.2
• 申請日: 2014-10-11
• 公開（公告）號: CN105514080B
• 公開（公告）日: 2018-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 欒竟恩
• 申請（專利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/60
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種電子器件，包括：

集成電路(IC)；

多個(gè)導(dǎo)電連接件，耦合至所述IC；

散熱層，鄰近所述IC，并且與所述多個(gè)導(dǎo)電連接件相對；

封裝材料，圍繞所述IC和所述多個(gè)導(dǎo)電連接件；

再分布層，具有耦合至所述多個(gè)導(dǎo)電連接件的多個(gè)導(dǎo)電跡線；

加強(qiáng)件，位于所述散熱層和所述再分布層之間；以及

扇出部件，位于所述散熱層和所述再分布層之間，并且位于所述封裝材料內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，進(jìn)一步包括位于所述散熱層和所述IC之間的熱界面層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，進(jìn)一步包括耦合至所述再分布層的多個(gè)導(dǎo)電焊球。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中，所述加強(qiáng)件具有鄰近所述封裝材料的內(nèi)表面和限定所述電子器件的外部表面的外表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中，所述加強(qiáng)件鄰接所述封裝材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中，所述再分布層包括介電層；以及其中，所述多個(gè)導(dǎo)電跡線由所述介電層承載并且耦合至所述多個(gè)導(dǎo)電連接件。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中，所述扇出部件包括陶瓷材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中，所述多個(gè)導(dǎo)電連接件包括焊接凸點(diǎn)和導(dǎo)柱中的至少一個(gè)。

9.一種電子器件，包括：

集成電路(IC)；

多個(gè)導(dǎo)電連接件，耦合至所述IC；

散熱層，鄰近所述IC，并且與所述多個(gè)導(dǎo)電連接件相對；

熱界面層，位于所述散熱層和所述IC之間；

封裝材料，圍繞所述IC和所述多個(gè)導(dǎo)電連接件；

再分布層，具有耦合至所述多個(gè)導(dǎo)電連接件的多個(gè)導(dǎo)電跡線；

加強(qiáng)件，位于所述散熱層和所述再分布層之間，并且具有鄰近所述封裝材料的內(nèi)表面和限定所述電子器件的外部表面的外表面；以及

扇出部件，位于所述散熱層和所述再分布層之間，并且位于所述封裝材料內(nèi)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子器件，進(jìn)一步包括耦合至所述再分布層的多個(gè)導(dǎo)電焊球。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子器件，其中，所述加強(qiáng)件鄰接所述封裝材料。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子器件，其中，所述再分布層包括介電層；以及其中，所述多個(gè)導(dǎo)電跡線由所述介電層承載并且耦合至所述多個(gè)導(dǎo)電連接件。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子器件，其中，所述扇出部件包括陶瓷材料。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子器件，其中，所述多個(gè)導(dǎo)電連接件包括焊接凸點(diǎn)和導(dǎo)柱中的至少一個(gè)。

15.一種制造電子器件的方法，包括：

形成多個(gè)導(dǎo)電連接件，所述多個(gè)導(dǎo)電連接件耦合至集成電路(IC)；

將散熱層定位成鄰近所述IC并且與所述多個(gè)導(dǎo)電連接件相對；

形成封裝材料，所述封裝材料圍繞所述IC和所述多個(gè)導(dǎo)電連接件；

定位再分布層，所述再分布層具有耦合至所述多個(gè)導(dǎo)電連接件的多個(gè)導(dǎo)電跡線；

將加強(qiáng)件定位成位于所述散熱層和所述再分布層之間；以及

將扇出部件定位成位于所述散熱層和所述再分布層之間并且位于所述封裝材料內(nèi)。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，進(jìn)一步包括形成位于所述散熱層和所述IC之間的熱界面層。