[發明專利]一種清洗鈍化GaAS晶圓表面的方法

在審

• 申請號: 201410536346.3
• 申請日: 2014-10-11
• 公開（公告）號: CN104392898A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發明（設計）人: 王智勇;張綿;王青;堯舜;高鵬坤;鄭建華
• 申請（專利權）人: 北京工業大學
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203
• 代理人: 沈波

1.一種清洗鈍化GaAS晶圓表面的方法，其特征在于：該方法包括以下步驟，首先將GaAs襯底用有機溶液處理，除去表面的油污；然后用鹽酸溶液浸泡GaAS晶圓，除去表面的自體氧化層；接著采用紫外-臭氧方法對GaAs表面進行鈍化；最后將鈍化后的GaAS襯底用去離子水沖洗表面并用高純氮氣吹干。

2.根據權利要求1所述的一種清洗鈍化GaAS晶圓表面的方法，其特征在于：所述有機溶液處理過程為，用三氯乙烯溶劑超聲清洗10分鐘。

3.根據權利要求1所述的一種清洗鈍化GaAS晶圓表面的方法，其特征在于：所述的紫外-臭氧方法，是紫外-臭氧設備產生185nm和254nm高強度UV光；185nm波長紫外光的光能量能將空氣中的氧氣分解成臭氧，而254nm波長的紫外光的光能量能將O₃分解成O₂和活性氧；活性氧可將GaAs表面的As的氧化物As₂O₃變成As₂O₅,將Ga的氧化物化物GaO變成Ga₂O₃，當Ga₂O₃、As₂O₅和As₂O₃達到適宜時可形成穩定的、均勻的鈍化層；在連續進行的光敏氧化反應中，生成的活性氧原子與活化了的有機物分子發生氧化反應，生成揮發性氣體逸出物體表面，從而徹底清除粘附在物體表面上的有機污染物，達到清洗的目的。