[發(fā)明專利]一種2-噻吩乙酸的合成方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410534774.2
• 申請日: 2014-10-11
• 公開（公告）號: CN104327040A
• 公開（公告）日: 2015-02-04
• 發(fā)明（設計）人: 蘇云清;洪鏞裕;石婷婷;王軼路
• 申請（專利權）人: 華東師范大學
• 主分類號: C07D333/24
• 分類號: C07D333/24
• 代理公司: 上海麥其知識產權代理事務所(普通合伙) 31257
• 代理人: 董紅曼

技術領域

本發(fā)明涉及一種精細化學品的合成方法，具體涉及一種2-噻吩乙酸的合成方法。

背景技術

2-噻吩衍生物廣泛應用于合成醫(yī)藥、農藥、染料、化學試劑和高分子助劑等，其中，2-噻吩乙酸是目前用量最大的2-噻吩衍生物，全球用量在1000t/a左右。2-噻吩乙酸的分子式為C₆H₄Q₂S；分子量為142；其結構式如下所示：

現有技術中，2-噻吩乙酸的合成方法較單一。如，文獻(1)(Chloromethylation?of?thiophene?WO020094806A1)所公開的前兩步反應：一次性投入噻吩，甲基異丁基酮，濃鹽酸，多聚甲醛，在0-5℃反應6h，期間不斷通入氯化氫氣體，停止通入氣體后，繼續(xù)保溫1h，反應液經水洗后分出有機層，有機相調pH至中性得2-氯甲基噻吩，在四丁基溴化銨的催化下，與氰化鈉水溶液70℃反應4h，得到2-噻吩乙腈。如，文獻(2)(Bernard?F.Crowe，F.F.Nord，Studies?in?the?Thiophene?series.VI.Azlactones?and?Rhodanines?prepared?from?2-thenaldehyde?and?substituted?2-thenaldehydes[J].J.Org.Chem.，1950，15(1)；81-88)所公開的2-噻吩乙腈在乙醇和氫氧化鉀的作用下水解成2-噻吩乙酸。如，文獻(3)(Wiberg?KB，McShane?F?H.2-chloromethyl?thiophene[J].Organic?Syntheses，Coll，1949，(29)：31；1955，(3)：197)所公開的第一步，噻吩，濃鹽酸，不斷通入氯化氫氣體，0℃時，滴加37％甲醛溶液，滴加4h，控溫0-5℃，得到2-氯甲基噻吩，在此基礎上如文獻(4)(F.F.Blicke，M.F.Zient.5-Ethyl-5-(α-thienyl)-barbituric?Acid[J].J.Am.Chem.Soc.，1941，63(11)；2945-2946)所公開的以乙醇和水為溶劑，2-氯甲基噻吩與氰化鈉回流反應得到2-噻吩乙腈，然后2-噻吩乙腈與氫氧化鉀，乙醇，水回流反應8h，再經酸化，冷卻析晶得到2-噻吩乙酸。

上述方法中存在共同的問題包括：第一步需要在反應過程中不斷通入氯化氫氣體，操作麻煩，過量的氯化氫氣體會帶走原料，降低收率；而且甲醛溶液容易聚合，使得樣品失效；第二步中反應溫度較高，會使氰化鈉分解而失效，另外該步反應為非均相反應，相轉移催化劑的使用可促進反應的進行；第三步反應采用一鍋法，反應過程有氨氣生成，若沒有及時排走會與氰基發(fā)生加成反應，使收率降低。

發(fā)明內容

為了克服現有技術的不足，本發(fā)明提供了一種新的制備2-噻吩乙酸的合成方法。本發(fā)明方法有效降低了其合成成本，簡化了反應操作，提高了反應的安全系數，提高了反應收率。

本發(fā)明2-噻吩乙酸的合成方法，往反應釜中加入濃鹽酸，噻吩，多聚甲醛，丙酮，在低溫下反應，并滴加三氯化磷維持反應液中酸的飽和濃度，得到2-氯甲基噻吩，在丙酮的催化下與氰化鈉水溶液反應得到2-噻吩乙腈，經過堿性水解得到目標產物2-噻吩乙酸。

本發(fā)明2-噻吩乙酸的合成方法，其反應路線如下：

本發(fā)明2-噻吩乙酸的合成方法，包括如下步驟：

(一)2-氯甲基噻吩的合成：

往反應釜中一次性加入濃鹽酸和噻吩，在8℃以下，攪拌下加入多聚甲醛和丙酮，5～8℃下滴加三氯化磷，保溫反應，得到2-氯甲基噻吩；

(二)2-噻吩乙腈的合成：

往反應釜中一次性加入水和固氰，待全溶后加入丙酮，加熱至50～60℃，滴加上述步驟(一)得到的2-氯甲基噻吩，保溫反應，得到2-噻吩乙腈；

(三)2-噻吩乙酸的合成

往反應釜中一次性加入水，緩慢的加入氫氧化鈉固體，升溫至回流時，在敞口下慢慢滴加上述步驟(二)得到的2-噻吩乙腈，保溫反應，甲苯萃取除雜質后，加濃鹽酸，調pH至1～2，冷卻析晶，得到2-噻吩乙酸，其結構如下所示：

本發(fā)明合成方法中，

所述步驟(一)中，加入多聚甲醛和丙酮的過程需調控在0～8℃；優(yōu)選地，調控在0～6℃。

滴加三氯化磷的過程需調控在溫度0～10℃條件下；優(yōu)選地，調控在5～8℃。