[發(fā)明專利]一種摻鈉銅銦鎵硒太陽電池器件及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410532537.2 | 申請日： | 2014-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN104241422A | 公開（公告）日： | 2014-12-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 薛玉明;尹富紅;劉君;宋殿友;朱亞東;李鵬海;潘洪剛;馮少君;張嘉偉;劉浩;高林;航偉;喬在祥;馮永旺;劉貴川;閆兵;靳忠杰;胡盛開 | 申請（專利權(quán)）人： | 天津理工大學(xué) |
| 主分類號： | H01L31/0445 | 分類號： | H01L31/0445;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 300384 *** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 摻鈉銅銦鎵硒 太陽電池 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種基于聚酰亞胺膜-蘇打玻璃復(fù)合襯底的摻鈉銅銦鎵硒太陽電池，其特征在于：襯底由蘇打玻璃及生長于其表面的聚酰亞胺膜構(gòu)成，其中蘇打玻璃的厚度為1.5-2mm，聚酰亞胺膜厚度為25-30μm；鉬背接觸層生長于聚酰亞胺膜-蘇打玻璃復(fù)合襯底之上，分為高阻層和低阻層，其中高阻層的厚度為80-120nm，低阻層的厚度為600-700nm；氟化鈉預(yù)制層薄膜生長于鉬背接觸層之上，化學(xué)分子式為NaF，厚度為20-30nm；銅銦鎵硒吸收層生長于氟化鈉預(yù)制層薄膜之上，化學(xué)分子式為CuIn1-xGaxSe2，式中x為0.25-0.35，導(dǎo)電類型為p型，厚度為1.5-2μm；硫化鎘緩沖層生長于銅銦鎵硒吸收層表面，化學(xué)分子式為CdS，導(dǎo)電類型為n型，厚度為45-50nm；透明窗口層生長于硫化鎘緩沖層之上，分為高阻本征氧化鋅薄膜和低阻氧化鋅鋁薄膜，導(dǎo)電類型為n型，其中本征氧化鋅薄膜的厚度為50-100nm，氧化鋅鋁薄膜的厚度為0.4-0.6μm；鋁上電極薄膜生長于透明窗口層之上，其后為為0.8-1.5μm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氟化鈉預(yù)置層薄膜的制備方法，其特征在于：氟化鈉預(yù)制層薄膜生長于鉬背接觸層之上，然后再沉積銅銦鎵硒吸收層，這樣實(shí)現(xiàn)了三步法制備銅銦鎵硒薄膜太陽電池的鈉元素的前摻雜，氟化鈉預(yù)制層采用硒化爐薄膜制備系統(tǒng)，應(yīng)用共蒸發(fā)制備工藝。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
