[發(fā)明專利]一種蓋板及承載裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410532503.3 | 申請日: | 2014-10-10 |
| 公開(公告)號: | CN105576101B | 公開(公告)日: | 2018-07-06 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張君;李興存 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L33/52 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 蓋板 反應區(qū)域 托盤 承載裝置 通孔 等離子體 承載 蓋板上表面 刻蝕均勻性 刻蝕選擇比 正相關關系 表面設置 環(huán)形區(qū)域 通孔位置 通孔周邊 良品率 自由基 掩膜 消耗 貫穿 | ||
本發(fā)明提供了一種蓋板及承載裝置,該蓋板用于將多個基片固定在托盤上,且在蓋板的表面設置有多個貫穿蓋板厚度的通孔,各個通孔與托盤的用于承載各個基片的承載位一一對應,蓋板采用可消耗等離子體中僅與掩膜發(fā)生反應的自由基的材料制成;并且,蓋板上表面包括多個反應區(qū)域,各個反應區(qū)域為一一對應地位于各個通孔周邊的環(huán)形區(qū)域,并且各個反應區(qū)域的面積大小和與之對應的通孔位置處的刻蝕選擇比大小成正相關關系。本發(fā)明提供的蓋板,其可以提高單次工藝的片間刻蝕均勻性,從而可以提高單次工藝的良品率。
技術領域
本發(fā)明屬于微電子加工技術領域,具體涉及一種蓋板及承載裝置。
背景技術
圖形化藍寶石襯底(Patterned Sapphire Substrate,以下簡稱PSS)是目前較為主流的提高LED器件出光效率的襯底,通常采用干法刻蝕技術對存在掩膜圖形的藍寶石襯底進行刻蝕,以得到圖像化的藍寶石襯底。在進行PSS刻蝕工藝的過程中,為了提高單次工藝的產(chǎn)能,通常采用將多個基片放置在托盤上再傳輸至反應腔室內的基座上,在反應腔室內通過蓋板疊置在托盤上,以實現(xiàn)將多個基片固定在托盤和蓋板之間,從而能夠同時對多個基片進行刻蝕工藝加工。
圖1為現(xiàn)有的蓋板和托盤相互固定的俯視圖。請參閱圖1,具體地,蓋板10上設置有與托盤11上承載的基片S一一對應的通孔101,當蓋板10疊置在托盤11上時,每個通孔101的靠近其環(huán)孔的環(huán)形區(qū)域疊置在與之對應的基片S的邊緣區(qū)域,不僅可以實現(xiàn)將基片S固定,還可以使基片S對應該通孔101位于反應腔室的等離子體環(huán)境中,以實現(xiàn)后續(xù)對基片S進行刻蝕工藝加工;蓋板10上的通孔101的設置分布如圖1所示,沿蓋板10的徑向由內向外設置有位于中心區(qū)域的1個通孔101、位于內圈區(qū)域的7個通孔101以及位于外圈區(qū)域的14個通孔101。
然而,采用上述蓋板10在實際應用中不可避免地會存在以下問題:蓋板的中心區(qū)域、內圈區(qū)域和外圈區(qū)域內各個通孔101位置處的刻蝕選擇比不同,且逐漸減小,其中,刻蝕選擇比等于基片的PSS刻蝕速率與光刻膠掩膜(PR)刻蝕速率的比值,若刻蝕選擇比高,則該通孔位置處的基片的刻蝕深度深,且刻蝕形貌容易出現(xiàn)拐點;若刻蝕選擇比低,則該通孔位置處的基片的刻蝕深度低,而基片的刻蝕形貌差和刻蝕深度低均會影響PSS的出光效率,因此,采用現(xiàn)有的蓋板會造成刻蝕均勻性差,從而造成單次工藝的良品率低。
發(fā)明內容
本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術中存在的技術問題之一,提出了一種蓋板及承載裝置,其可以提高單次工藝的片間刻蝕均勻性,從而可以提高單次工藝的良品率。
為解決上述問題之一,本發(fā)明提供了一種蓋板,用于將多個基片固定在托盤上,且在所述蓋板上表面設置有多個貫穿所述蓋板厚度的通孔,各個通孔與所述托盤的用于承載各個基片的承載位一一對應,其特征在于,所述蓋板上表面采用可消耗等離子體中僅與掩膜發(fā)生反應的自由基的材料制成;并且,所述蓋板上表面包括多個反應區(qū)域,各個反應區(qū)域為一一對應地位于各個通孔周邊的環(huán)形區(qū)域,并且各個反應區(qū)域的面積大小和與之對應的通孔位置處的刻蝕選擇比大小成正相關關系。
其中,各個所述反應區(qū)域的面積相等。
其中,所述蓋板采用鋁材料制成。
其中,所述基片包括藍寶石襯底。
其中,所述多個通孔在所述蓋板上從中心向邊緣均勻設置,所述蓋板周向上且靠近所述蓋板邊緣的各個通孔對應的反應區(qū)域的面積與其他通孔對應的反應區(qū)域的面積之間的誤差范圍在3~5%。
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