[發(fā)明專利]減小電鍍層圖形失真的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410529841.1 | 申請日: | 2014-10-09 |
| 公開(公告)號: | CN104388994B | 公開(公告)日: | 2017-10-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孫俊峰;朱健;禹淼 | 申請(專利權(quán))人: | 中國電子科技集團公司第五十五研究所 |
| 主分類號: | C25D5/02 | 分類號: | C25D5/02;C25D7/12 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)32204 | 代理人: | 柏尚春 |
| 地址: | 210000 江蘇省南*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 減小 鍍層 圖形 失真 方法 | ||
1.一種減小電鍍層圖形失真的方法,包括:提供一襯底,其上形成有犧牲層、電鍍層;其中,所述犧牲層圖案化后包括圖案區(qū)域和非圖案區(qū)域,所述電鍍層包括形成第一圖案和第二圖案,所述第一圖案形成在所述圖案化區(qū)域上,所述第二圖案形成在所述非圖案區(qū)域上,且第一圖案與第二圖案邊緣保持一定的間距,去除所述電鍍層的第一圖案以及所述第一圖案對應(yīng)的所述犧牲層的所述圖案化區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減小電鍍層圖形失真的方法,其特征在于:所述犧牲層采用可圖案化且容易去除的材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的減小電鍍層圖形失真的方法,其特征在于:所述第一圖案形成在所述第二圖案的一側(cè)和/或另一側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的減小電鍍層圖形失真的方法,其特征在于:所述第一圖案的邊緣與所述第二圖案的邊緣間距在20微米以內(nèi)。
5.一種減小電鍍層圖形失真的方法,具體包括以下步驟:
提供一襯底,具有兩側(cè),其一側(cè)上形成有犧牲層;
對所述犧牲層圖案化,形成圖案區(qū)域和非圖案區(qū)域;
在所述犧牲層上依次形成種子層、涂覆電鍍掩膜;
對所述電鍍掩膜圖案化,提供形成第一圖案和第二圖案的圖形,
且第一圖案與第二圖案邊緣保持一定的間距;
在所述掩膜上形成包括所述第一圖案和所述第二圖案電鍍層;
去除電鍍掩膜;
去除種子層,同時保留所述第一圖案和所述第二圖案下的種子層;
去除犧牲層,同時采用超聲和倒置方法剝離所述第一圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的減小電鍍層圖形失真的方法,其特征在于:在形成所述電鍍層之前,還包括在所述襯底的另一側(cè)上涂覆介質(zhì)層。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的減小電鍍層圖形失真的方法,其特征在于:所述犧牲層采用可圖案化且容易去除的材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求5-7任一項所述的減小電鍍層圖形失真的方法,其特征在于:所述第一圖案形成在所述第二圖案的一側(cè)和/或另一側(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的減小電鍍層圖形失真的方法,其特征在于:所述第一圖案的邊緣與所述第二圖案的邊緣間距在20微米以內(nèi)。
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