[發(fā)明專(zhuān)利]芯片安裝方法以及芯片封裝體有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410529229.4 | 申請(qǐng)日: | 2014-10-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104576905B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-10-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 安范模;南基明;樸勝浩 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 普因特工程有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L33/62 | 分類(lèi)號(hào): | H01L33/62;H01L33/64 |
| 代理公司: | 北京安信方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262 | 代理人: | 張春媛;閻娬斌 |
| 地址: | 韓國(guó)忠*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 凸點(diǎn) 電極部 芯片 芯片安裝 基板 焊接材料 金屬基板 壓印 絕緣層 熔融焊接材料 熱膨脹系數(shù) 芯片封裝體 表面平坦 電性連接 惰性氣體 封裝工藝 接合部位 密封芯片 內(nèi)部填充 外部接觸 芯片接合 延長(zhǎng)壽命 粘合部位 接合 光效率 金屬部 凹陷 結(jié)溫 腔室 豎直 涂敷 下端 加工 破裂 傳遞 | ||
本發(fā)明涉及芯片安裝方法,根據(jù)本發(fā)明的芯片安裝方法包括以下步驟:在向基板的內(nèi)側(cè)方向凹陷的腔室的一面上形成凸點(diǎn);進(jìn)行壓印加工,以使凸點(diǎn)的表面平坦;對(duì)已進(jìn)行壓印加工的凸點(diǎn)涂敷焊接材料;以及熔融焊接材料,將下端形成有電極部或者金屬部的芯片接合到凸點(diǎn)上。根據(jù)本發(fā)明,對(duì)于具有豎直絕緣層的金屬基板而言,由于芯片的電極部與基板的電極部需要電性連接,所以利用金屬基板上附加形成的凸點(diǎn),使其與芯片的電極部接合,將芯片上產(chǎn)生的熱量快速傳遞給基板,從而降低芯片結(jié)溫(junction temperature),可以取得提高光效率并延長(zhǎng)壽命的效果。而且,用焊接材料密封芯片接合部位,從而可以防止根據(jù)材料的熱膨脹系數(shù)不同發(fā)生的破裂,并避免與外部接觸,可以防止粘合部位的氧化,因此無(wú)需進(jìn)行向安裝有芯片的內(nèi)部填充惰性氣體的附加工藝,就可以完成封裝工藝。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種芯片安裝方法,具體涉及一種散熱性能得到提高的芯片安裝方法。
背景技術(shù)
現(xiàn)有技術(shù)中,考慮到電性連接以及與基板的接合和散熱性能,LED封裝體通過(guò)利用結(jié)合銀粉末和環(huán)氧樹(shù)脂材料的銀膏來(lái)安裝芯片。但是,目前使用的銀-環(huán)氧樹(shù)脂結(jié)合膏的熱傳導(dǎo)率性能最大為10~30W/mK,這種接合材料存在隨著散熱性能的提高價(jià)格隨之增加,且附著力下降的問(wèn)題。最近,隨著LED封裝體使用高粉末以及逐漸趨于小型化,芯片上產(chǎn)生的熱量隨之增加,為了防止LED效率下降并壽命縮短,需要提高封裝體內(nèi)部的散熱性能。
此外,對(duì)于以陶瓷基板作為基板的LED封裝體,由于接合材料的散熱性能低于基板的散熱性能,即使提高基板的散熱特性,接合材料的熱阻會(huì)變大,存在封裝體整體上散熱效果差的問(wèn)題。
由此可見(jiàn),接合材料的較低的散熱特性,成為導(dǎo)致芯片效率低下、壽命縮短和性能低劣的主要原因,因此有必要對(duì)芯片接合工藝和材料進(jìn)行改善和研發(fā)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述技術(shù)問(wèn)題而作,其目的是提供利用散熱性能優(yōu)秀的接合材料的接合工藝,具體提供利用散熱性能優(yōu)秀的金屬材料對(duì)芯片進(jìn)行接合的工藝以及芯片結(jié)構(gòu)。
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,根據(jù)本實(shí)施例的芯片安裝方法包括:在向基板的內(nèi)側(cè)方向凹陷的腔室的一面上形成凸點(diǎn);進(jìn)行壓印加工,以使凸點(diǎn)的表面平坦;對(duì)已進(jìn)行壓印加工的凸點(diǎn)涂敷焊接材料;以及熔融焊接材料,將下端形成有電極部或者金屬部的芯片接合到凸點(diǎn)上。
優(yōu)選地,在接合步驟中,用焊接材料密封芯片和凸點(diǎn)接合時(shí)產(chǎn)生的芯片和基板之間的空間。
優(yōu)選地,在凸點(diǎn)形成步驟之前,還包括在基板表面進(jìn)行鍍膜的步驟,凸點(diǎn)形成步驟在已經(jīng)過(guò)鍍膜的基板的一面形成凸點(diǎn)。
優(yōu)選地,凸點(diǎn)形成步驟是在基板的腔室的一面形成凸點(diǎn)的過(guò)程,而且基板的腔室通過(guò)基板的絕緣部與基板的導(dǎo)電部電性分離。
芯片安裝方法還包括通過(guò)接合電線,以電性連接芯片與形成凸點(diǎn)的腔室一面的另一面的步驟。
優(yōu)選地,在凸點(diǎn)形成步驟中,根據(jù)基于凸點(diǎn)的散熱性確定的間隔,形成多個(gè)凸點(diǎn)。
芯片安裝方法還包括用密封部件密封腔室,以密封安裝在腔室內(nèi)的芯片的步驟。
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,根據(jù)本實(shí)施例的芯片封裝體包括:基板,具有向內(nèi)側(cè)方向凹陷形成的腔室;芯片,下端形成有電極部或者金屬部;凸點(diǎn),形成在具有腔室的基板一面;以及焊料,熔融并將芯片接合到凸點(diǎn)上,且密封芯片和凸點(diǎn)接合時(shí)產(chǎn)生的芯片和基板之間的空間。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件





