[發明專利]半導體發光結構及半導體封裝結構

在審

• 申請號: 201410527562.1
• 申請日: 2014-10-09
• 公開（公告）號: CN104733598A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發明（設計）人: 吳志凌;黃逸儒;羅玉云;黃靖恩;丁紹瀅
• 申請（專利權）人: 新世紀光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/54
• 分類號: H01L33/54;H01L33/48
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 何青瓦

技術領域

本發明涉及一種半導體發光結構及半導體封裝結構，特別是涉及一種可有效強化磊晶結構的半導體發光結構及半導體封裝結構。

背景技術

目前，薄膜覆晶式發光二極管的制造方法是先在基板上形成磊晶結構，然后在磊晶結構上分別形成N型電極以及P型電極，而形成一半導體發光結構。進一步，將此半導體發光結構接合于承載座上，使得半導體發光結構的N型電極與P型電極分別電性連接于承載座的N型接合墊與P型接合墊。最后，再以雷射剝離技術移除基板，而形成薄膜覆晶式發光二極管。然而，由于磊晶結構為一薄層結構，在以雷射剝離技術移除基板時，磊晶結構經常會因受應力而破裂，使得薄膜覆晶式發光二極管的制造良率降低，進而增加制造成本。

發明內容

本發明提供一種可有效強化磊晶結構的半導體發光結構及半導體封裝結構，以解決上述的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供的一種技術方案是：提供一種半導體發光結構包括一磊晶結構、一N型電極墊、一P型電極墊以及一絕緣層。N型電極墊與P型電極墊相間隔地設置于磊晶結構上，其中P型電極墊具有一第一上表面。絕緣層設置于磊晶結構上且位于N型電極墊與P型電極墊之間，其中絕緣層具有一第二上表面。P型電極墊的第一上表面與絕緣層的第二上表面共平面。

其中，N型電極墊具有一第三上表面，其中P型電極墊的第一上表面、絕緣層的第二上表面與N型電極墊的部分第三上表面共平面。

其中，N型電極墊具有一第三上表面，其中P型電極墊的第一上表面、絕緣層的第二上表面與N型電極墊的第三上表面共平面。

其中，半導體發光結構進一步包括一增高墊，設置于磊晶結構上且位于N型電極墊與P型電極墊之間，其中絕緣層包覆增高墊。

其中，半導體發光結構進一步包括一基板，其中磊晶結構形成于基板上。

為解決上述技術問題，本發明提供的另一種技術方案是：提供一種半導體封裝結構包括一承載座、一N型接合墊、一P型接合墊以及一如上所述的半導體發光結構。N型接合墊與P型接合墊設置于承載座上，且N型接合墊與該P型接合墊之間存在一凹槽。半導體發光結構的N型電極墊電性連接于N型接合墊，且半導體發光結構的P型電極墊電性連接于P型接合墊。

綜上所述，本發明是通過使P型電極墊的上表面與絕緣層的上表面共平面，來強化磊晶結構。通過這種方式，在以雷射剝離技術移除基板時，即可有效避免磊晶結構因受應力而破裂。此外，本發明可使P型電極墊的上表面、絕緣層的上表面與N型電極墊的部分或全部上表面共平面，以進一步強化磊晶結構。再者，本發明可在磊晶結構上設置增高墊且使絕緣層包覆增高墊，以在半導體發光結構成型后，確保P型電極墊的上表面與絕緣層的上表面共平面。

關于本發明的優點與精神可以通過以下的發明詳述及所附圖式得到進一步的了解。

附圖說明

圖1為根據本發明第一實施例的半導體發光結構的示意圖；

圖2為根據本發明第二實施例的半導體發光結構的示意圖；

圖3為根據本發明第三實施例的半導體發光結構的示意圖；

圖4為根據本發明第四實施例的半導體發光結構的示意圖；

圖5與圖6為根據本發明第五實施例的半導體封裝結構的制造過程示意圖；

圖7為根據本發明第六實施例的半導體封裝結構的示意圖；

圖8為根據本發明第七實施例的半導體封裝結構的示意圖；

圖9為根據本發明第八實施例的半導體封裝結構的示意圖。

具體實施方式