[發明專利]半導體發光結構及半導體封裝結構在審
| 申請號： | 201410527562.1 | 申請日： | 2014-10-09 |
| 公開（公告）號： | CN104733598A | 公開（公告）日： | 2015-06-24 |
| 發明（設計）人： | 吳志凌;黃逸儒;羅玉云;黃靖恩;丁紹瀅 | 申請（專利權）人： | 新世紀光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/54 | 分類號： | H01L33/54;H01L33/48 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 發光 結構 封裝 | ||
1.一種半導體發光結構，其特征在于，包括：
一磊晶結構；
一N型電極墊與一P型電極墊，相間隔地設置于所述磊晶結構上，所述P型電極墊具有一第一上表面；以及
一絕緣層，設置于所述磊晶結構上且位于所述N型電極墊與所述P型電極墊之間，所述絕緣層具有一第二上表面；
其中，所述第一上表面與所述第二上表面共平面。
2.根據權利要求1所述的半導體發光結構，其特征在于，所述N型電極墊具有一第三上表面，所述第一上表面、所述第二上表面與部分所述第三上表面共平面。
3.根據權利要求1所述的半導體發光結構，其特征在于，所述半導體發光結構進一步包括一增高墊，設置于所述磊晶結構上且位于所述N型電極墊與所述P型電極墊之間，所述絕緣層包覆所述增高墊。
4.根據權利要求2所述的半導體發光結構，其特征在于，所述第二上表面連接所述第一上表面與所述第三上表面。
5.根據權利要求1所述的半導體發光結構，其特征在于，所述半導體發光結構進一步包括一基板，所述磊晶結構形成于所述基板上。
6.一種半導體封裝結構，其特征在于，所述半導體封裝結構包括：
一承載座；
一N型接合墊與一P型接合墊，設置于所述承載座上，所述N型接合墊與所述P型接合墊之間存在一凹槽；以及
一根據權利要求1至5中任一項所述的半導體發光結構，所述N型電極墊電性連接于所述N型接合墊，且所述P型電極墊電性連接于所述P型接合墊。
7.根據權利要求6所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述半導體封裝結構進一步包括一絕緣材料，設置于所述凹槽內，且所述絕緣材料的厚度等于所述P型接合墊的厚度。
8.根據權利要求6所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第二表面在所述承載座上的投影面積大于所述凹槽在所述承載座上的投影面積。
9.根據權利要求6所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述半導體封裝結構進一步包括一波長轉換體，包覆所述半導體發光結構。
10.根據權利要求9所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述波長轉換體包覆所述半導體發光結構且延伸至所述承載座的側壁。
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