[發明專利]一種圖像傳感器制備工藝

在審

• 申請號: 201410526463.1
• 申請日: 2014-09-30
• 公開（公告）號: CN104253139A
• 公開（公告）日: 2014-12-31
• 發明（設計）人: 胡思平;朱繼鋒;肖勝安;董金文
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種圖像傳感器制備工藝，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1、提供一半導體結構，所述半導體結構的頂部設置有溝槽，所述溝槽中形成有引線，所述半導體結構頂部和所述溝槽暴露的表面覆蓋有第一介電層；

步驟S2：沉積第二介電層覆蓋在所述第一介電層和所述引線的上表面并將所述溝槽進行填充；

步驟S3：進行一反刻蝕的工藝，以降低所述第二介電層的厚度，并在溝槽上方的第二介電層表面形成凸狀結構；

步驟S4：對所述第二介電層進行平坦化處理，藉由所述凸狀結構來提高所述第二介電層的研磨后的表面平整度。

2.如權利要求1所述的制備工藝，其特征在于，所述半導體結構包括一第一晶圓和鍵合在第一晶圓之上的第二晶圓；

所述第一晶圓和所述第二晶圓均包括一襯底和一氧化層，且所述第一晶圓和所述第二晶圓各自包括的氧化層之間接觸面為鍵合面。

3.如權利要求2所述的制備工藝，其特征在于，所述第一晶圓和所述第二晶圓各自包括的氧化層中均設置有至少一個第一金屬層，且所述第一晶圓和所述第二晶圓中的第一金屬層均一對一地上下重疊并接觸。

4.如權利要求2所述的制備工藝，其特征在于，所述第二晶圓的襯底內一預設深度內還設置有第二金屬層，且該第二金屬層與所述引線接觸。

5.如權利要求1所述的制備工藝，其特征在于，所述引線為T型金屬，且該引線頂部開設有一凹槽。

6.如權利要求1所述的制備工藝，其特征在于，所述第二介電層為氧化硅。

7.如權利要求1所述的制備工藝，其特征在于，反刻蝕的工藝包括光刻和干法刻蝕工藝。

8.如權利要求1所述的制備工藝，其特征在于，所述凸狀結構位于所述溝槽頂部和/或溝槽附近。

9.如權利要求1所述的制備工藝，其特征在于，所述平坦化處理為化學機械研磨。