[發明專利]觸控面板及其制造方法

在審

• 申請號: 201410525107.8
• 申請日: 2014-10-08
• 公開（公告）號: CN104516586A
• 公開（公告）日: 2015-04-15
• 發明（設計）人: 布雷恩·貝克;埃德·笹本;蒙齊爾·謝里夫
• 申請（專利權）人: 宸鴻美國有限責任公司
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041;C23C14/35
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;常大軍

1.一種觸控面板，其特征在于，包括：

一第一基板；

一遮蔽層，形成在該第一基板的邊緣區域；以及

一第一高密度導電層，覆蓋該第一基板及該遮蔽層。

2.根據權利要求1所述之觸控面板，其特征在于，還包括：

多個第一電極，設置在該高密度導電層與該第一基板相對的一側；

一第二基板；

一第二導電層，設置在該第二基板上；以及

多個第二電極，設置在該第二導電層與該第二基板相對的一側。

3.根據權利要求2所述的觸控面板，其特征在于，還包括設置在該第一高密度導電層和該第二導電層之間的一透明粘合層。

4.根據權利要求2所述的觸控面板，其特征在于，該遮蔽層、該多個第一電極及該多個第二電極分布在該觸控面板的該邊緣區域。

5.根據權利要求1所述的觸控面板，其特征在于，該第一高密度導電層的材料選自氧化銦錫、氧化銦鋅及氧化鋁鋅中的一種。

6.根據權利要求5所述的觸控面板，其特征在于，該第一高密度導電層通過HiPIMS輔助直流濺射工藝形成。

7.根據權利要求6所述的觸控面板，其特征在于，該HiPIMS輔助直流濺射工藝的濺射電壓為450V～1000V，濺射功率為5kW～10kW，功率脈沖間隔為350μs～1500μs，功率脈沖時間為10μs～200μs，氣流流量為500sccms～1500sccms，以及壓力為0.002Torr～0.010Torr。

8.一種觸控面板的制造方法，其特征在于，包括：

在一第一基板的邊緣區域形成一遮蔽層；

形成覆蓋該遮蔽層和該第一基板的一第一高密度導電層；以及

在該第一高密度導電層與該第一基板相對的一側形成多個第一電極。

9.根據權利要求8所述的觸控面板的制造方法，其特征在于，該遮蔽層通過絲網印刷或光刻技術形成。

10.根據權利要求8所述的觸控面板的制造方法，其特征在于，還包括：

在一第二基板上形成一第二導電層；

在該第二導電層與該第二基板相對的一側形成多個第二電極；以及

在該第一高密度導電層和該第二導電層之間的形成一透明粘合層。

11.根據權利要求10所述的觸控面板的制造方法，其特征在于，該透明粘合層的材料為OCA膠或LOCA膠。

12.根據權利要求10所述的觸控面板的制造方法，其特征在于，該第二導電層的材料選自氧化銦錫、氧化銦鋅及氧化鋁鋅中的一種。

13.根據權利要求8所述的觸控面板的制造方法，其特征在于，該第一高密度導電層的材料選自氧化銦錫、氧化銦鋅及氧化鋁鋅中的一種。

14.根據權利要求8所述的觸控面板的制造方法，其特征在于，該第一高密度導電層通過使用具有HiPIMS電源單元的直流磁控濺射機形成。

15.根據權利要求8所述的觸控面板的制造方法，其特征在于，該第一高密度導電層通過HiPIMS輔助直流濺射工藝形成。

16.根據權利要求15所述的觸控面板的制造方法，其特征在于，該HiPIMS輔助直流濺射工藝的濺射電壓為450V～1000V，濺射功率為5kW～10kW。

17.根據權利要求15所述的觸控面板的制造方法，其特征在于，該HiPIMS輔助直流濺射工藝的功率脈沖間隔為350μs～1500μs，功率脈沖時間為10μs～200μs。

18.根據權利要求15所述的觸控面板的制造方法，其特征在于，該HiPIMS輔助直流濺射工藝的氣流流量為500sccms～1500sccms，壓力為0.002Torr～0.010Torr。

19.根據權利要求8所述的觸控面板的制造方法，還包括將該第一高密度導電層圖形化。

20.根據權利要求19所述的觸控面板的制造方法，其特征在于，該第一高密度導電層通過光蝕刻來圖案化。