[發明專利]集成電路和制造集成電路的方法

有效

• 申請號: 201410522609.5
• 申請日: 2014-09-30
• 公開（公告）號: CN104518010B
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發明（設計）人: M·H·菲勒梅耶;A·梅瑟;T·施勒塞爾;F·希爾勒;M·珀爾齊爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

本發明公開了一種集成電路及制造集成電路的方法，該集成電路包括在具有主表面的半導體襯底中的晶體管。晶體管包括源極區域、漏極區域、溝道區域、漂移區、柵極電極以及鄰近于柵極電極的柵極電介質。柵極電極被設置為鄰近于溝道區域的至少兩側。溝道區域和漂移區沿著平行于主表面的第一方向被設置在源極區域與漏極區域之間。柵極電介質具有在柵極電極的不同位置處變化的厚度。

技術領域

本公開涉及半導體領域，并且更特別地涉及一種集成電路及制造集成電路的方法

背景技術

通常在汽車和工業電子中采用的功率晶體管在確保高電壓阻斷能力的同時要求低的導通電阻(Ron)。例如，取決于應用的要求，MOS(“金屬氧化物半導體”)功率晶體管應當有能力阻斷數十到數百或數千伏的漏源電壓Vds。MOS功率晶體管通常傳導非常大的電流，其在約2V到20V的典型柵源電壓下可以高達數百安培。

其中電流流動主要平行于半導體襯底的主表面發生的橫向功率器件可用于諸如開關、橋接器和控制電路之類的其它部件被集成于其中的集成電路。

例如，功率晶體管可以用于DC/DC或AC/DC轉換器中，以便使用電感器來開關電流。在這些轉換器中采用從100kHz到高達幾MHz的范圍內的頻率。為了減小開關損耗，正在做出嘗試以最小化功率晶體管中的電容。由此，可以加速開關操作。

發明內容

根據實施例，集成電路包括在具有主表面的半導體襯底中的晶體管。晶體管包括源極區域、漏極區域、溝道區域、漂移區、柵極電極以及鄰近于柵極電極的柵極電介質。柵極電極被設置為鄰近于溝道區域的至少兩側，溝道區域和漂移區沿著平行于主表面的第一方向被設置在源極區域與漏極區域之間。柵極電介質具有在柵極電極的不同位置處變化的厚度。

根據又一實施例，集成電路包括在具有主表面的半導體襯底中的晶體管。晶體管包括源極區域、漏極區域、溝道區域、漂移區、柵極電極以及鄰近于柵極電極的柵極電介質。柵極電極和柵極電介質被設置在柵極溝槽中，柵極溝槽被設置為鄰近于溝道區域的兩側。溝道區域和漂移區沿著第一方向被設置在源極區域與漏極區域之間，第一方向平行于主表面延伸。柵極電介質具有在柵極電極的不同位置處變化的厚度。

根據實施例，制造半導體器件的方法包括在具有主表面的半導體襯底中形成晶體管。形成晶體管包括形成源極區域、形成漏極區域、形成溝道區域、形成漂移區、形成鄰近于溝道區域的柵極電極以及形成鄰近于柵極電極的柵極電介質。柵極電極被設置為鄰近于溝道區域的至少兩側，溝道區域和漂移區沿著平行于主表面的第一方向被設置在源極區域與漏極區域之間。柵極電介質被形成以便具有在柵極電極的不同位置處變化的厚度。

通過閱讀以下詳細說明和查看附圖，本領域技術人員會意識到另外的特征和優點。

附圖說明

附圖被包括以提供對實施例的進一步理解，并且被并入且構成該說明書的一部分。附圖圖示了主要的實施例，并且與描述一起用于解釋原理。其它實施例和許多預期優點將更容易領會，因為通過參照以下詳細描述它們變得更好理解。附圖的元件相對于彼此未必是按比例的。同樣的參考數字制定對應的相似部分。

圖1A示出了根據實施例在平行于半導體襯底的主表面的平面中截取的集成電路的截面圖；

圖1B示出了在圖1A中示出的集成電路的又一截面圖；

圖1C和圖1D示出了在圖1A和圖1B中圖示的集成電路的元件的截面圖；

圖2示出了在圖1中圖示的集成電路的部件；

圖3A至圖3D示出了在圖1A至圖1D中圖示的集成電路的柵極溝槽的截面圖；

圖4A示出了在執行根據實施例的方法時的半導體襯底的截面圖；