[發明專利]集成電路和制造集成電路的方法

有效

• 申請號: 201410522609.5
• 申請日: 2014-09-30
• 公開（公告）號: CN104518010B
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發明（設計）人: M·H·菲勒梅耶;A·梅瑟;T·施勒塞爾;F·希爾勒;M·珀爾齊爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種半導體器件，所述半導體器件包括在具有主表面的半導體襯底中的晶體管，所述晶體管包括：

源極區域；

漏極區域；

溝道區域；

漂移區；

柵極電極；以及

鄰近于所述柵極電極的柵極電介質，

其中所述柵極電極被設置為鄰近于所述溝道區域的至少兩側，所述溝道區域和所述漂移區沿著平行于所述主表面的第一方向被設置在所述源極區域與所述漏極區域之間，并且所述柵極電介質具有在所述柵極電極的不同位置處變化的厚度，所述厚度在所述柵極電極與鄰近的半導體材料之間在水平方向上被測量，其中所述柵極電介質的所述厚度在所述柵極電極的鄰近于所述漂移區的部分處比在鄰近于所述溝道區域的部分處大，其中所述柵極電極不延伸至較厚的所述柵極電介質的部分。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述柵極電介質的所述厚度在所述柵極電極的底側處比在鄰近于所述溝道區域的部分處厚。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中從所述柵極電極的底側相對于所述半導體襯底的所述主表面垂直測量的所述柵極電介質的所述厚度大于在鄰近于所述溝道區域的部分處的厚度。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述柵極電極被設置在形成在所述半導體襯底的所述主表面中的柵極溝槽中。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述溝道區域具有在所述第一方向上延伸的脊的形狀。

6.一種半導體器件，所述半導體器件包括在具有主表面的半導體襯底中的晶體管，所述晶體管包括：

源極區域；

漏極區域；

溝道區域；

漂移區；

柵極電極；以及

鄰近于所述柵極電極的柵極電介質，

其中所述柵極電極和所述柵極電介質被設置在柵極溝槽中，所述柵極溝槽被設置為鄰近于所述溝道區域的兩側，所述溝道區域和所述漂移區沿著第一方向被設置在所述源極區域與所述漏極區域之間，所述第一方向平行于所述主表面延伸，并且所述柵極電介質具有在所述柵極電極的不同位置處變化的厚度，所述厚度在所述柵極電極與鄰近的半導體材料之間被水平地測量，所述晶體管進一步包括在所述漂移區處的場板，其中所述場板與所述柵極電極絕緣。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述柵極電介質的所述厚度在所述柵極電極的鄰近于所述漂移區的部分處比在鄰近于所述溝道區域的部分處厚。

8.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述場板和場電介質被設置在場板溝槽中，所述柵極溝槽和所述場板溝槽彼此分離。

9.根據權利要求6所述的半導體器件，其中從所述柵極電極的底側相對于所述半導體襯底的所述主表面垂直測量的所述柵極電介質的所述厚度大于在鄰近于所述溝道區域的部分處的厚度。

10.一種制造半導體器件的方法，包括在具有主表面的半導體襯底中形成晶體管，其中形成所述晶體管包括：

形成源極區域；

形成漏極區域；

形成溝道區域；

形成漂移區；

形成鄰近于所述溝道區域的柵極電極；以及

形成鄰近于所述柵極電極的柵極電介質，所述柵極電極被設置鄰為近于所述溝道區域的至少兩側，所述溝道區域和所述漂移區沿著平行于所述主表面的第一方向被設置在所述源極區域與所述漏極區域之間，

其中所述柵極電介質被形成以便具有在所述柵極電極的不同位置處變化的厚度，所述厚度在所述柵極電極與鄰近的半導體材料之間被水平地測量，以及

其中所述柵極電介質的所述厚度被形成為在所述柵極電極的鄰近于所述漂移區的部分處比在鄰近于所述溝道區域的部分處大，其中所述柵極電極不延伸至較厚的所述柵極電介質的部分。

11.根據權利要求10所述的方法，其中形成所述柵極電極包括在所述半導體襯底的所述主表面中形成柵極溝槽。