[發明專利]一種調節高壓器件電性的多晶硅刻蝕方法

有效

• 申請號: 201410522341.5
• 申請日: 2014-09-30
• 公開（公告）號: CN104362085B
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發明（設計）人: 李東;荊泉;任昱;張旭升
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 王宏婧

1.一種調節高壓器件電性的多晶硅刻蝕方法，其特征在于，包括：

提供一硅片，在所述硅片上依次形成多晶硅柵極、硬掩膜層、抗反射層以及光刻膠層；

對所述光刻膠層進行刻蝕；

在多晶硅柵極刻蝕前測量光刻膠的寬度；

計算得出刻蝕后的多晶硅柵極線寬；

計算得出刻蝕后抗反射層損耗的線寬；

根據抗反射層刻蝕速率，實時修正硅片上的抗反射層的刻蝕工藝時間；

當有效電壓一定的情況下，源漏電流與多晶硅柵極線寬成反比，從而通過柵極線寬調節高壓器件的電性參數。

2.根據權利要求1所述的調節高壓器件電性的多晶硅刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕后抗反射層損耗的線寬通過測量得到的光刻膠寬度減去刻蝕后的多晶硅柵極線寬后得出。

3.根據權利要求1所述的調節高壓器件電性的多晶硅刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕后的多晶硅柵極線寬根據高壓柵極線寬和電性參數的理論關系計算得出，計算得出刻蝕后多晶硅柵極線寬Wc；

IDS=μCoxLWV2---[1]]]>

W＝W_C-2W_D[2]

I_DS表示源漏電流，μ表示電子遷移率，C_ox表示柵氧電容，L表示垂直方向的柵極長度，W表示有效溝道寬度，W_C多晶硅柵極線寬，W_D橫向擴散的寬度，W_D在離子注入劑量一定的情況下為常量，V表示有效電壓。

4.根據權利要求1所述的調節高壓器件電性的多晶硅刻蝕方法，其特征在于，所述光刻膠的寬度采用光學線寬測量儀進行測量。

5.根據權利要求1所述的調節高壓器件電性的多晶硅刻蝕方法，其特征在于，所述修正硅片上的抗反射層的刻蝕工藝時間采用制程控制系統進行設置。

6.根據權利要求5所述的調節高壓器件電性的多晶硅刻蝕方法，其特征在于，所述多晶硅刻蝕方法還包括：測量前批刻蝕后的多晶硅柵極線寬，根據測量值實時修正當前批次硅片上的抗反射層的刻蝕工藝時間。

7.根據權利要求6所述的調節高壓器件電性的多晶硅刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕后的多晶硅柵極線寬采用光學線寬測量儀進行測量。