[發明專利]真空蒸鍍裝置用岐管

有效

• 申請號: 201410520985.0
• 申請日: 2014-09-30
• 公開（公告）號: CN104561903B
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發明（設計）人: 松本祐司;西村剛;大工博之
• 申請（專利權）人: 日立造船株式會社
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 鹿屹;李雪春

本發明提供一種提高蒸鍍材料的利用效率的真空蒸鍍裝置用岐管。該真空蒸鍍裝置用岐管是聯機式真空蒸鍍裝置用岐管，在單一岐管(11)的與基板(12)相對的基板對置面(11a)上設置有噴嘴列(14F、14R)，上述噴嘴列(14F、14R)沿基板(12)的寬度方向隔開規定的噴嘴間距(P)突出設置多個具有噴嘴口的噴出用噴嘴(13)，并且將噴嘴列(14F、14R)在基板(12)的移動方向上隔開規定的噴嘴列間隔(Lp)進行配置，基板(12)移動方向后方的噴嘴列(14R)的噴出用噴嘴(13)與基板(12)移動方向前方的噴嘴列(14F)的噴出用噴嘴(13)在基板(12)的移動方向上相對配置。

技術領域

本發明涉及一種適用于有機EL(電致發光)元件制造的真空蒸鍍裝置用岐管，使用線性源進行聯機(Inline)蒸鍍。

背景技術

聯機蒸鍍方式是使作為被蒸鍍材料的線性源的岐管，沿寬度方向與以固定速度移動的被蒸鍍基材相對配置，并且從設置在該岐管上的噴出用噴嘴噴出蒸發材料，使蒸發材料附著在被蒸鍍基材的表面上。

在聯機蒸鍍方式的真空蒸鍍裝置中，專利文獻1公開了如下裝置：將線性源用岐管作為用于加熱蒸鍍材料使其氣化的坩堝，在坩堝的上表面上沿坩堝的長邊方向形成有多個噴出用噴嘴，并且在各噴出用噴嘴上分別形成有用于噴出蒸鍍材料的噴嘴口。

專利文獻1：日本專利公報第4380319號(圖1)

然而，需要提高價格高的有機EL等蒸鍍材料的利用效率(附著量相對于蒸發量的比例)。因此，可以考慮使噴出用噴嘴接近被蒸鍍基材，從而使作為節流孔的噴嘴口和被蒸鍍基材的蒸鍍距離變短。當使蒸鍍距離變短時，為了確保附著膜厚的均勻性，需要增加噴嘴口，從而導致噴出用噴嘴相互接近。此外，為了調整噴出量，噴出用噴嘴的噴嘴口成為出口收攏的節流孔，但是如果不將噴嘴口的口徑/噴出用噴嘴內徑之比確保為一定值以上，則從一個噴出用噴嘴噴出的蒸鍍材料的膜厚分布不穩定。因此，難以使噴嘴口接近設置。

作為對策，可以使噴嘴口的口徑變小，但是如果使噴嘴口的口徑變小，則噴出流道的傳導率變小。因此，為了確保規定的蒸鍍率，必須提高坩堝內的蒸鍍材料的蒸發溫度(加熱溫度)，但是如果提高了蒸發溫度，則有些蒸鍍材料容易劣化，而且有可能增加運行成本。

發明內容

為了解決上述問題，本發明的目的在于提供能夠提高蒸鍍材料的利用效率的真空蒸鍍裝置用岐管。

方式1的發明提供一種真空蒸鍍裝置用岐管，為聯機式真空蒸鍍裝置用岐管，與以固定速度移動的被蒸鍍基材相對配置，從設置在對置面上的多個噴嘴口噴出蒸鍍材料，并使所述蒸鍍材料附著在被蒸鍍基材的表面上，其中，在單一岐管的與被蒸鍍基材相對的對置面上設置有噴嘴列，所述噴嘴列沿被蒸鍍基材的寬度方向隔開規定的噴嘴間距突出設置多個具有所述噴嘴口的噴出用噴嘴，并且多列所述噴嘴列沿被蒸鍍基材的移動方向隔開規定間隔配置，被蒸鍍基材移動方向前方的噴嘴列的噴出用噴嘴和后方的噴嘴列的噴出用噴嘴在被蒸鍍基材的移動方向上相對配置，當噴出用噴嘴的噴嘴內徑為D、噴嘴長度為L、噴嘴口的口徑為D’時，D’≥1mm，并且在L≥9×D時滿足D’≤2.7×D²/L，在L＜9×D時滿足D’≤D/3。

方式2的發明提供一種真空蒸鍍裝置用岐管，為聯機式真空蒸鍍裝置用岐管，與以固定速度移動的被蒸鍍基材相對地配置岐管，從設置在岐管上的多個噴嘴口噴出蒸鍍材料，并使所述蒸鍍材料附著在被蒸鍍基材的表面上，其中，在單一岐管的與被蒸鍍基材相對的對置面上設置有噴嘴列，所述噴嘴列沿被蒸鍍基材的寬度方向隔開規定的噴嘴間距突出設置多個具有噴嘴口的噴出用噴嘴，并且多列所述噴嘴列沿被蒸鍍基材的移動方向隔開規定間隔配置，相對于被蒸鍍基材移動方向前方的噴嘴列的噴出用噴嘴，后方的噴嘴列的噴出用噴嘴配置在偏移1/2噴嘴間距的交錯位置上，當噴出用噴嘴的噴嘴內徑為D、噴嘴長度為L、噴嘴口的口徑為D’時，D’≥1mm，并且在L≥9×D時滿足D’≤2.7×D²/L，在L＜9×D時滿足D’≤D/3。