[發(fā)明專利]真空蒸鍍裝置用岐管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410520985.0 | 申請日: | 2014-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN104561903B | 公開(公告)日: | 2019-01-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 松本祐司;西村剛;大工博之 | 申請(專利權(quán))人: | 日立造船株式會社 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 鹿屹;李雪春 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 真空 裝置 用岐管 | ||
1.一種真空蒸鍍裝置用岐管,為聯(lián)機式真空蒸鍍裝置用岐管,與以固定速度移動的被蒸鍍基材相對配置,從設(shè)置在對置面上的多個噴嘴口噴出蒸鍍材料,并使所述蒸鍍材料附著在被蒸鍍基材的表面上,
所述真空蒸鍍裝置用岐管的特征在于,
在單一岐管的與被蒸鍍基材相對的對置面上設(shè)置有噴嘴列,所述噴嘴列沿被蒸鍍基材的寬度方向隔開規(guī)定的噴嘴間距突出設(shè)置多個具有所述噴嘴口的噴出用噴嘴,并且多列所述噴嘴列沿被蒸鍍基材的移動方向隔開規(guī)定間隔配置,
被蒸鍍基材移動方向前方的噴嘴列的噴出用噴嘴和后方的噴嘴列的噴出用噴嘴在被蒸鍍基材的移動方向上相對配置,
當噴出用噴嘴的噴嘴內(nèi)徑為D、噴嘴長度為L、噴嘴口的口徑為D’時,
D’≥1mm,并且
在L≥9×D時滿足D’≤2.7×D2/L,
在L<9×D時滿足D’≤D/3。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空蒸鍍裝置用岐管,其特征在于,
當各噴嘴列的噴出用噴嘴的噴嘴間距為P、噴嘴口和被蒸鍍基材的蒸鍍距離為S時,
D’<P<1.11×S。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空蒸鍍裝置用岐管,其特征在于,與被蒸鍍基材的寬度對應(yīng),在多個噴嘴列中的至少一個噴嘴列上安裝有封閉塞,所述封閉塞封閉端部側(cè)的噴出用噴嘴的噴嘴口。
4.一種真空蒸鍍裝置用岐管,為聯(lián)機式真空蒸鍍裝置用岐管,與以固定速度移動的被蒸鍍基材相對配置,從設(shè)置在對置面上的多個噴嘴口噴出蒸鍍材料,并使所述蒸鍍材料附著在被蒸鍍基材的表面上,
所述真空蒸鍍裝置用岐管的特征在于,
在單一岐管的與被蒸鍍基材相對的對置面上設(shè)置有噴嘴列,所述噴嘴列沿被蒸鍍基材的寬度方向隔開規(guī)定的噴嘴間距突出設(shè)置多個具有所述噴嘴口的噴出用噴嘴,并且多列所述噴嘴列沿被蒸鍍基材的移動方向隔開規(guī)定間隔配置,
相對于被蒸鍍基材移動方向前方的噴嘴列的噴出用噴嘴,后方的噴嘴列的噴出用噴嘴配置在偏移1/2噴嘴間距的交錯位置上,
當噴出用噴嘴的噴嘴內(nèi)徑為D、噴嘴長度為L、噴嘴口的口徑為D’時,
D’≥1mm,并且
在L≥9×D時滿足D’≤2.7×D2/L,
在L<9×D時滿足D’≤D/3。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的真空蒸鍍裝置用岐管,其特征在于,
當各噴嘴列的噴出用噴嘴的噴嘴間距為P、噴嘴口和被蒸鍍基材的蒸鍍距離為S時,
D’<P<1.11×S。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的真空蒸鍍裝置用岐管,其特征在于,與被蒸鍍基材的寬度對應(yīng),在多個噴嘴列中的至少一個噴嘴列上安裝有封閉塞,所述封閉塞封閉端部側(cè)的噴出用噴嘴的噴嘴口。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于日立造船株式會社,未經(jīng)日立造船株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410520985.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:有機物沉積裝置及有機物沉積方法
- 下一篇:用于高強度鋁的人工時效處理
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





