[發明專利]焦平面探測器相連缺陷元的識別方法與測試基片

有效

• 申請號: 201410519307.2
• 申請日: 2014-09-30
• 公開（公告）號: CN104269465A
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發明（設計）人: 侯治錦;司俊杰;王巍;韓德寬;呂衍秋;王錦春
• 申請（專利權）人: 中國空空導彈研究院
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/09
• 代理公司: 鄭州睿信知識產權代理有限公司 41119
• 代理人: 胡泳棋

技術領域

本發明涉及一種焦平面探測器相連缺陷元的識別方法，以及該方法中應用的基片。

背景技術

InSb紅外焦平面探測器是通過銦柱將分別制作的InSb晶片和ROIC讀出電路進行倒焊互連和減薄減反而得到的。隨著應用的需要，焦平面陣列規模要求越來越大，相對于此，焦平面陣列像元尺寸的要求卻越來越小。原材料缺陷、器件制造工藝等方面的影響越發顯著，紅外焦平面陣列不可避免地存在多元相連形成相連缺陷元。

此類缺陷元嚴重影響焦平面探測器的分辨率和可靠性等性能。但是，利用現有的焦平面測試方法來對這類缺陷元進行評價時，發現其響應和噪聲與正常元基本相同。所以，利用現有的測試方法無法判別出缺陷元。

發明內容

本發明的目的是提供一種焦平面探測器相連缺陷元的識別方法以及該方法采用的測試基片，用以解決現有方法無法識別相連缺陷元的問題。

為實現上述目的，本發明的方案包括：

焦平面探測器相連缺陷元的識別方法，在基片上形成兩種透光率的區域，兩種透光率的區域間隔設置；將基片安裝在面陣探測器前面；用焦平面探測器測試系統進行測試，得到響應電壓數據以識別相連缺陷元。

所述兩種透光率的區域為背景區域和若干窗口區塊。

將基片安裝在面陣探測器前面時，光敏元與對應的窗口區塊對準。

對于正常元，其響應電壓與光敏元所對準的透光率區域對應；對于相連缺陷元，其響應電壓是正常元響應電壓的平均值；從而識別相鄰缺陷元。

所述背景區域與窗口區塊通過設置不同透光率的薄膜形成；或者所述背景區域設置薄膜，窗口區塊不設薄膜；或者所述背景區域不設薄膜，窗口區塊設置薄膜。

一種基片，基片在其上形成兩種透光率區域，兩種透光率的區域間隔設置。

所述兩種透光率的區域為背景區域和若干窗口區塊。

所述背景區域與窗口區塊通過設置不同透光率的薄膜形成。

所述背景區域與窗口區塊通過設置不同透光率的薄膜形成；或者所述背景區域設置薄膜，窗口區塊不設薄膜；或者所述背景區域不設薄膜，窗口區塊設置薄膜。

本發明提出的相連缺陷元識別方法，將基片處理為一種特殊的具備兩種透光率的基片，即在同一基片上，形成具有兩種透光率的區域。對于正常元，其響應電壓與光敏元所對準的透光率區域對應；對于相連缺陷元，其響應電壓是正常元響應電壓的平均值(求和求平均)；從而識別相鄰缺陷元。

兩透光率區塊的透光率的差異越大，缺陷元的響應電壓平均值與正常元差別也越大，越容易對數據的分析處理。

附圖說明

圖1是本發明實施例的實施結構圖；1為金薄膜,2為基片,3為InSb芯片,4為光敏元,5為DI?ROIC讀出電路；

圖2是本發明實施例的基片圖形。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明做進一步詳細的說明。

本發明的焦平面探測器相連缺陷元的識別方法，在基片上形成兩種不同透光率的區域；將基片安裝在面陣探測器前面；用焦平面探測器測試系統進行測試，得到響應電壓數據以識別相連缺陷元。

具體的，一種焦平面探測器相連缺陷元的識別方法，其步驟如下：

首先制作基片：

(1)將基片清洗干凈；

(2)在基片表面旋涂光刻膠；

(3)對基片進行光刻、烘烤、曝光、顯影等處理，制備薄膜窗口；

(4)將基片生長交錯排列的兩種不同透光率薄膜；

然后進行測試，測試所采用的焦平面探測器測試系統為現有系統，在此不再贅述；

(5)將制作好的基片安裝在焦平面探測器前面進行測試；

(6)依據電壓響應值來判別焦平面探測器缺陷元。

對于基片的制作，在工藝層面，包括將寶石基底清洗干凈；在寶石基底表面旋涂AZ4330光刻膠；對寶石基底進行光刻、烘烤、曝光、顯影等處理，制備薄膜窗口；將寶石基底放入真空鍍膜機，將真空抽到一定值，生長兩種不同透光率的薄膜，形成的基片如圖2所示。

兩種不同透光率薄膜可選擇的多種組合如下：

組合1：窗口區塊沒有薄膜、全透光，背景部分為不透光的金膜。

組合2：窗口區塊沒有薄膜、全透光，背景部分為采用波段為(3.7-4.8)微米設計制作得到的薄膜。

組合3：窗口區塊為不透光的金膜，背景部分為采用波段為(3.7-4.8)微米設計制作得到的薄膜。