[發(fā)明專利]焦平面探測(cè)器相連缺陷元的識(shí)別方法與測(cè)試基片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410519307.2
• 申請(qǐng)日: 2014-09-30
• 公開（公告）號(hào): CN104269465A
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 侯治錦;司俊杰;王巍;韓德寬;呂衍秋;王錦春
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)空空導(dǎo)彈研究院
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/09
• 代理公司: 鄭州睿信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 41119
• 代理人: 胡泳棋

1.焦平面探測(cè)器相連缺陷元的識(shí)別方法，其特征在于，在基片上形成兩種透光率的區(qū)域，兩種透光率的區(qū)域間隔設(shè)置；將基片安裝在面陣探測(cè)器前面；用焦平面探測(cè)器測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)試，得到響應(yīng)電壓數(shù)據(jù)以識(shí)別相連缺陷元。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的識(shí)別方法，其特征在于，所述兩種透光率的區(qū)域?yàn)楸尘皡^(qū)域和若干窗口區(qū)塊。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的識(shí)別方法，其特征在于，將基片安裝在面陣探測(cè)器前面時(shí)，光敏元與對(duì)應(yīng)的窗口區(qū)塊對(duì)準(zhǔn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的識(shí)別方法，其特征在于，對(duì)于正常元，其響應(yīng)電壓與光敏元所對(duì)準(zhǔn)的透光率區(qū)域?qū)?yīng)；對(duì)于相連缺陷元，其響應(yīng)電壓是正常元響應(yīng)電壓的平均值；從而識(shí)別相鄰缺陷元。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的識(shí)別方法，其特征在于，所述背景區(qū)域與窗口區(qū)塊通過設(shè)置不同透光率的薄膜形成；或者所述背景區(qū)域設(shè)置薄膜，窗口區(qū)塊不設(shè)薄膜；或者所述背景區(qū)域不設(shè)薄膜，窗口區(qū)塊設(shè)置薄膜。

6.用于權(quán)利要求1所述識(shí)別方法的測(cè)試基片，其特征在于，基片在其上形成兩種透光率區(qū)域，兩種透光率的區(qū)域間隔設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的測(cè)試基片，其特征在于，所述兩種透光率的區(qū)域?yàn)楸尘皡^(qū)域和若干窗口區(qū)塊。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的測(cè)試基片，其特征在于，所述背景區(qū)域與窗口區(qū)塊通過設(shè)置不同透光率的薄膜形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的測(cè)試基片，其特征在于，所述背景區(qū)域與窗口區(qū)塊通過設(shè)置不同透光率的薄膜形成；或者所述背景區(qū)域設(shè)置薄膜，窗口區(qū)塊不設(shè)薄膜；或者所述背景區(qū)域不設(shè)薄膜，窗口區(qū)塊設(shè)置薄膜。