[發明專利]顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201410515200.0 | 申請日: | 2014-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN104517996B | 公開(公告)日: | 2018-02-13 |
| 發明(設計)人: | 韓準洙;金彬 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司11127 | 代理人: | 呂俊剛,劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本公開涉及一種顯示裝置及其制造方法,并且具體地涉及一種能夠當存儲電容器具有較小的尺寸時控制存儲電容器的穩定電容的顯示裝置及其制造方法。
背景技術
以主動矩陣型驅動的顯示裝置包括位于每個子像素中的薄膜晶體管,并且根據顯示裝置的類型而包括液晶層或有機發光元件。此外,每個子像素包括用于穩定地控制數據電壓的存儲電容器。在包括液晶層的顯示裝置中,存儲電容器能夠穩定地保持數據電壓,即穩定地保持像素電極與公共電極之間的電壓差。在博科有機發光元件的顯示裝置中,存儲電容器能夠穩定地保持數據電壓,即穩定地保持驅動晶體管的柵電極與源電極之間,或者柵電極與漏電極之間的電壓差。
相關申請的交叉引用
本申請要求2013年10月8日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2013-0120127的優先權,通過引用將其公開并入這里。
發明內容
隨著為了實現顯示裝置的更高的分辨率而減少每個子像素的面積,每個子像素中的薄膜晶體管(TFT)或存儲電容器的尺寸減小。這導致了存儲電容器的電容的減小。當這發生時,子像素中的數據電壓變得不穩定。因此,應該確保存儲電容器的足夠的電容。
存儲電容器需要某種最小尺寸以便于確保電容。本公開的發明人已經開發了一種顯示裝置,其通過使用氧化物半導體作為存儲電容器的電極來使得存儲電容器的尺寸最小同時保持了用于提供穩定的數據電壓的電容。還公開了一種制造該顯示裝置的方法。
本公開的目的在于提供一種存儲電容器,其具有與傳統的存儲電容器相同的電容,但是存儲電容器的尺寸小于傳統的存儲電容器的尺寸。這實現了子像素的面積的減小,因此,每單位面積的子像素的數目增加,并且因此提供了具有更高分辨率的顯示裝置。
此外,本公開的另一目的在于提供一種透明有機發光顯示裝置,其具有尺寸小于傳統的存儲電容器的尺寸的存儲電容器。因此,改進了透明有機發光顯示裝置的透射率,這是因為具有存儲電容器的發光區域的尺寸減小并且不具有存儲電容器的光透射區域的尺寸增加。此外,公開了一種制造該透明有機發光顯示裝置的方法。
本公開的目的不限于上述。本領域技術人員根據下面的描述將清楚地理解這里沒有描述的其它目的。
根據本公開的方面,提供了一種顯示裝置,其能夠實現上述目的。顯示裝置包括基板、共面薄膜晶體管和存儲電容器。共面薄膜晶體管包括有源層,其包括氧化物半導體;柵電極;和源電極或漏電極。存儲電容器包括下電極、第一絕緣層、中間電極、第二絕緣層和上電極。并且下電極由與有源層相同的材料構成,并且被導電化。
通過使用導電化的下電極,存儲電容器被構造為用作多個電容器。因此,減小了存儲電容器的尺寸。另外,可以利用更小尺寸的存儲電容器確保足夠的電容。以該方式,可以減小顯示裝置中的每個子像素的面積,從而實現高分辨率。
當顯示裝置是透明有機發光顯示裝置時,減小尺寸的存儲電容器允許減小光發射區域的尺寸并且相對地增加光透射區域的尺寸。因此,改進了透明有機光發射顯示裝置的透射率。
根據本公開的示例性實施方式,使用半色調掩模對由與有源層相同材料構成的層進行圖案化,并且進行導電化。因此,能夠使得制造顯示裝置的處理的數目最小。
在詳細描述和附圖中示出了示例性實施方式的其它內容。
附圖說明
附圖被包括進來以提供對本發明的進一步理解,并且附圖合并到本申請中且構成本申請的一部分,附圖例示了本發明的實施方式,并與說明書一起用于解釋本發明的原理。在圖中:
圖1A是根據本公開的示例性實施方式的顯示裝置的截面圖;
圖1B是根據本公開的示例性實施方式的有機發光顯示裝置的截面圖;
圖2是根據本公開的示例性實施方式的有機發光顯示裝置的截面圖;
圖3是根據本公開的示例性實施方式的顯示裝置的簡化平面圖;
圖4是用于示出根據本公開的示例性實施方式的制造有機發光顯示裝置的方法的流程圖;以及
圖5A至圖5F是均示出用于制造根據本公開的示例性實施方式的有機發光顯示裝置的處理步驟的截面圖。
具體實施方式
根據下面參照附圖對實施方式的描述,本公開的各種優點和特征及其實現方法將變得清楚。然而,本公開不限于本文公開的示例性實施方式,而將用各種形式實現。僅通過舉例提供示例性實施方式,使得本領域的普通技術人員可完全理解本公開的公開內容和本公開的范圍。因此,本公開將只由所附權利要求書的范圍限定。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





