[發(fā)明專利]顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410515200.0
• 申請(qǐng)日: 2014-09-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104517996B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓準(zhǔn)洙;金彬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 樂(lè)金顯示有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/32
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11127
• 代理人: 呂俊剛,劉久亮

1.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

共面薄膜晶體管，所述共面薄膜晶體管位于基板上，所述共面薄膜晶體管包括柵電極、有源層、源電極和漏電極，所述有源層包括氧化物半導(dǎo)體；

下電極，所述下電極位于所述基板上并且由與所述有源層相同的材料構(gòu)成，所述下電極被導(dǎo)電化；

第一絕緣層，所述第一絕緣層位于所述下電極上；

中間電極，所述中間電極由與所述柵電極相同的材料構(gòu)成，所述中間電極位于所述第一絕緣層上并且其至少一部分與所述下電極交疊；

第二絕緣層，所述第二絕緣層位于所述中間電極上；以及

上電極，所述上電極由與所述源電極或所述漏電極相同的材料構(gòu)成，所述上電極位于所述第二絕緣層上并且其至少一部分與所述中間電極交疊，其中，所述上電極連接到所述下電極，

其中，所述下電極、所述第一絕緣層和所述中間電極形成第一電容器，并且所述中間電極、所述第二絕緣層和所述上電極形成第二電容器，其中，所述第一電容器和所述第二電容器彼此并行地連接以形成存儲(chǔ)電容器。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一電容器的電容大于所述第二電容器的電容。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，所述第一絕緣層比所述第二絕緣層薄。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，所述顯示裝置進(jìn)一步包括：

附加電極，所述附加電極位于所述上電極上，所述附加電極的至少一部分與所述上電極交疊。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，所述附加電極連接到所述中間電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述共面薄膜晶體管進(jìn)一步包括柵極絕緣層，所述柵極絕緣層位于所述有源層與所述柵電極之間，其中，所述第一絕緣層比所述柵極絕緣層薄。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述共面薄膜晶體管進(jìn)一步包括層間絕緣層，所述層間絕緣層位于所述柵電極與所述源電極或所述漏電極之間，其中，所述第二絕緣層比所述層間絕緣層薄。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述中間電極連接到所述共面薄膜晶體管的所述柵電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述上電極電連接到所述共面薄膜晶體管的所述源電極或所述漏電極。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，所述顯示裝置進(jìn)一步包括有機(jī)發(fā)光元件，所述有機(jī)發(fā)光元件包括陽(yáng)極，所述陽(yáng)極電連接到連接到所述上電極的所述源電極或所述漏電極。

11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，所述顯示裝置進(jìn)一步包括：

有機(jī)發(fā)光元件，所述有機(jī)發(fā)光元件包括陽(yáng)極，所述陽(yáng)極電連接到連接到所述上電極的所述源電極或所述漏電極；以及

連接部分，所述連接部分插入在所述陽(yáng)極與所述源電極或所述漏電極之間，所述連接部分由與所述附加電極相同的材料構(gòu)成。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，所述顯示裝置進(jìn)一步包括多個(gè)子像素，所述多個(gè)子像素分別包括發(fā)光區(qū)域和光透射區(qū)域，其中，所述存儲(chǔ)電容器位于所述發(fā)光區(qū)域中。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其中，所述多個(gè)子像素中的至少一個(gè)中的存儲(chǔ)電容器具有不同于另一子像素中的存儲(chǔ)電容器的尺寸的尺寸。

14.一種制造顯示裝置的方法，所述方法包括下述步驟：

在基板上形成氧化物半導(dǎo)體層；

對(duì)所述氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化以形成有源層和與所述有源層隔開(kāi)的下電極部分；

對(duì)所述下電極部分進(jìn)行導(dǎo)電化以形成下電極；

在所述有源層和所述下電極上形成基礎(chǔ)絕緣層；

在所述基礎(chǔ)絕緣層上形成柵電極和中間電極；

在所述柵電極和所述中間電極上方形成額外的絕緣層，所述額外的絕緣層具有接觸孔；以及

形成源電極、漏電極和上電極，其中，所述上電極經(jīng)由所述額外的絕緣層中的所述接觸孔連接到所述下電極，

其中，所述下電極、所述基礎(chǔ)絕緣層和所述中間電極形成第一電容器，并且所述中間電極、所述額外的絕緣層和所述上電極形成第二電容器，其中，所述第一電容器和所述第二電容器彼此并行地連接以形成存儲(chǔ)電容器。