[發(fā)明專利]一種禁帶寬度可控的銅鋅錫硫硒薄膜材料的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410514152.3
• 申請日: 2014-09-29
• 公開（公告）號: CN104393096A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張春江
• 申請（專利權(quán)）人: 上海科慧太陽能技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/032
• 代理公司: 深圳華奇信諾專利代理事務(wù)所(普通合伙) 44328
• 代理人: 黃鴻華

1.一種禁帶寬度可控的銅鋅錫硫硒薄膜材料的制備方法，其特征在于，包括：

對襯底進(jìn)行清洗，在表面上沉積背電極層；

在沉積有背電極層的襯底上制備銅鋅錫合金預(yù)制層；

所述銅鋅錫合金預(yù)制層放于退火爐中，在具有硫源及硒源的惰性氣氛環(huán)境下進(jìn)行熱處理，得到銅鋅錫硫硒薄膜材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述制備方法，其特征在于，所述襯底包括玻璃襯底。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述制備方法，其特征在于，所述對襯底進(jìn)行清洗包括以下步驟：將襯底依次在自來水、丙酮、異丙醇中超聲處理后使用無水乙醇沖洗。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述制備方法，其特征在于，所述襯底上的背電極層包括金屬鉬層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述制備方法，其特征在于，所述沉積有背電極層的襯底，通過以下步驟實(shí)現(xiàn)：采用磁控濺射的方式在所述襯底上沉積至少一層金屬鉬薄膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述制備方法，其特征在于，采用蒸發(fā)法、濺射法、脈沖沉積法、電沉積法或水熱合成法，在沉積有背電極層的襯底上制備銅鋅硒合金預(yù)制層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述制備方法，其特征在于，所述惰性氣氛包括氖、氬和/或氪。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述制備方法，其特征在于，退火爐中的惰性氣氛環(huán)境的壓強(qiáng)為0.1至10個(gè)大氣壓，反應(yīng)時(shí)間為0.1至4小時(shí)，退火溫度為300至700℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述制備方法，其特征在于，硫元素氣態(tài)化合物的體積分?jǐn)?shù)為0.01％至80％，優(yōu)選為0.01％至30％；硒元素氣態(tài)化合物的體積分?jǐn)?shù)為0.01％至80％，優(yōu)選為0.01％至30％；壓強(qiáng)為0.01至1個(gè)大氣壓，退火溫度為400至600℃；和/或，退火爐內(nèi)硫化及硒化時(shí)間為0.1至4小時(shí)，優(yōu)選為0.01至2小時(shí)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述制備方法，其特征在于，還包括以下步驟：通過氣體流量計(jì)調(diào)節(jié)惰性氣體、硫元素氣態(tài)化合物與硒元素氣態(tài)化合物的體積比例。