[發明專利]具有低基板電耦合效應的微機電元件有效
| 申請號： | 201410513985.8 | 申請日： | 2014-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN105523518B | 公開（公告）日： | 2017-08-08 |
| 發明（設計）人： | 蔡明翰;徐新惠 | 申請（專利權）人： | 原相科技股份有限公司 |
| 主分類號： | B81B7/00 | 分類號： | B81B7/00 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司11219 | 代理人： | 陳肖梅,謝麗娜 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 低基板電 耦合 效應 微機 元件 | ||
1.一種微機電元件，通過一CMOS半導體制程所制作，在該CMOS半導體制程中，也制作了一CMOS電路中的晶體管元件，此晶體管元件的元件區由場氧化層所定義，其特征在于，該微機電元件包含：
一基板；
至少一錨部，包含一氧化層、以及位于該氧化層上方的連接結構，其中該氧化層與該場氧化層以相同的制程步驟制作而具有相對應的厚度，該氧化層與該基板連接；以及
至少一微機電結構，連接于該錨部的該連接結構；
其中，該連接結構為多層結構，其中至少有一層的出平面投影面積小于該氧化層的出平面投影面積。
2.如權利要求1所述的微機電元件，其中，該連接結構包含對應于該CMOS半導體制程的至少一內連線通道層、至少一內連線金屬層及至少一內連線通道層，且這些內連線層的出平面投影面積皆小于該氧化層的出平面投影面積。
3.如權利要求1所述的微機電元件，其中，該基板包含多個凹狀結構，該多個凹狀結構設于該基板面向于該微機電結構的一側。
4.一種微機電元件，其特征在于，包含：
一基板；
至少一錨部，包含一氧化層、以及位于該氧化層上方的連接結構，該氧化層與該基板連接；
至少一微機電結構，連接于該錨部的該連接結構；
其中，該連接結構為多層結構，其中至少有一層的出平面投影面積小于該氧化層的出平面投影面積。
5.如權利要求4所述的微機電元件，其中，該微機電元件通過一CMOS半導體制程所制作，又其中該連接結構包含對應于該CMOS半導體制程的至少一內連線通道層、至少一內連線金屬層及至少一內連線通道層，且這些內連線層的出平面投影面積皆小于該氧化層的出平面投影面積。
6.一種微機電元件，其特征在于，包含：
一基板，包含多個凹狀結構；
至少一錨部，包含一氧化層、以及位于該氧化層上方的連接結構，該氧化層與該基板連接；
至少一微機電結構，連接于該錨部的該連接結構；
其中，該多個凹狀結構設于該基板面向于該微機電結構的一側、對應于該微機電結構的位置，該連接結構為多層結構，其中至少有一層的出平面投影面積小于該氧化層的出平面投影面積。
7.如權利要求6所述的微機電元件，其中，該微機電元件通過一CMOS半導體制程所制作，又其中該連接結構包含對應于該CMOS半導體制程的至少一內連線通道層、至少一內連線金屬層及至少一內連線通道層，且這些內連線層的出平面投影面積皆小于該氧化層的出平面投影面積。
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