[發明專利]半導體器件的形成方法

有效

• 申請號: 201410513588.0
• 申請日: 2014-09-29
• 公開（公告）號: CN105529253B
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發明（設計）人: 林藝輝
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 吳圳添;駱蘇華

1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上形成柵極堆疊結構；

在所述柵極堆疊結構兩側的半導體襯底內分別形成源區和漏區；

在所述半導體襯底上和所述柵極堆疊結構側面形成層間介質層；

刻蝕所述層間介質層，形成露出所述源區和漏區的接觸孔；

對所述接觸孔的底部進行再氧化處理；

在所述再氧化處理后，對所述接觸孔的底部進行SiCoNi清洗；

在所述SiCoNi清洗后，在所述接觸孔的底部形成金屬硅化物；

在所述再氧化處理后，且在所述SiCoNi清洗前，還包括進行清洗處理的步驟；

在所述清洗處理采用的溶液為氨水、雙氧水和水的混合物，所述溶液中氨水、雙氧水和水的體積比為1:1～4:50～200。

2.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，采用爐管氧化工藝進行所述再氧化處理。

3.如權利要求1或2所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述再氧化處理采用的氧化氣體為氧氣，氧氣的流量為1.5slm～2.5slm，氧化溫度為800℃～810℃，氧化時間800s～1000s。

4.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述SiCoNi清洗采用的反應氣體包括NF₃和NH₃。

5.如權利要求1或4所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述SiCoNi清洗的清洗時間為3s～6s。

6.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，在所述接觸孔的底部形成所述金屬硅化物包括：

在接觸孔的底部表面上沉積金屬；

進行熱退火工藝，形成所述金屬硅化物。

7.如權利要求6所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述熱退火工藝包括一次熱退火和二次熱退火。

8.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝形成所述接觸孔。