[發明專利]基板處理裝置和基板處理方法

在審

• 申請號: 201410513508.1
• 申請日: 2014-09-29
• 公開（公告）號: CN104517873A
• 公開（公告）日: 2015-04-15
• 發明（設計）人: 長嶋裕次;松下淳;林航之介;宮崎邦浩;古矢正明;東野秀史;田內豐泰
• 申請（專利權）人: 芝浦機械電子裝置股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

技術領域

本發明涉及基板處理裝置和基板處理方法。

背景技術

基板處理裝置是在半導體等的制造工序中向晶片、液晶基板等基板的正面供給處理液對該基板正面進行處理，然后向基板正面供給超純水等清洗水將該基板正面清洗，進而將其干燥的裝置。在該干燥工序中，隨著近年的半導體的高度集成化和高容量化帶來的微細化，發生例如在基板上的存儲單元或柵極周圍的圖案崩塌的問題。這源于圖案彼此的間隔或結構、清洗水的表面張力等原因。在干燥基板時殘留在圖案間的清洗水的表面張力所致的圖案彼此的吸引，導致圖案彼此彈性變形地倒塌，產生圖案崩塌。

于是，以抑制上述的圖案崩塌為目的，提出了使用表面張力比超純水小的IPA(2-丙醇：異丙醇)的基板干燥方法(例如參照專利文獻1)，將基板正面上的超純水置換成IPA進行基板干燥的方法在批量生產工廠等中被使用。

專利文獻1所記載的基板處理裝置中，設置有對基板的正面供給清洗液的清洗液供給部、和對被供給了清洗液的基板的正面供給揮發性溶劑，將基板的正面的清洗液置換成揮發性溶劑的溶劑供給部。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2008-34779號公報

發明內容

發明想要解決的技術問題

然而，在專利文獻1所記載的基板處理裝置的溶劑供給部，對基板的正面僅供給一次單一濃度的揮發性溶劑，所以將清洗液置換成揮發性溶劑的效率差。

被供給到基板的正面的清洗水未被充分置換成表面張力低的IPA等揮發性溶劑時，無法有效防止干燥基板時的圖案崩塌。該圖案崩塌隨著半導體的微細化越發顯著。

本發明的技術問題在于將基板正面的清洗水可靠地置換成揮發性溶劑，有效防止干燥基板時的圖案崩塌。

用于解決技術課題的技術方案

本發明的基板處理裝置，其特征在于：

對基板的正面供給清洗液，將該清洗液置換成揮發性溶劑，利用對基板的正面的加熱除去揮發性溶劑，對基板的正面進行干燥，

上述基板處理裝置具有溶劑置換單元，該溶劑置換單元將上述清洗液置換成低濃度的揮發性溶劑，然后進一步置換成高濃度的揮發性溶劑。

本發明的基板處理方法，其特征在于：

對基板的正面供給清洗液，將該清洗液置換成揮發性溶劑，利用對基板的正面的加熱除去揮發性溶劑，對基板的正面進行干燥，

上述基板處理方法具有將上述清洗液置換成低濃度的揮發性溶劑，然后進一步置換成高濃度的揮發性溶劑的溶劑置換工序。

發明效果

根據本發明的基板處理裝置和基板處理方法，能夠將基板正面的清洗水可靠地置換成揮發性溶劑，有效防止干燥基板時的圖案崩塌。

附圖說明

圖1是表示實施例1的基板處理裝置的示意圖。

圖2是表示清洗室的示意圖。

圖3是表示溶劑置換室的示意圖。

圖4是表示實施例2的基板處理裝置的示意圖。

圖5是表示溶劑置換室、搬送單元和干燥室的示意圖。

圖6是表示基板正面的揮發性溶劑的干燥狀況的示意圖。

圖7是表示實施例3的基板處理室的示意圖。

附圖標記說明

10???清洗室

15???有機溶劑供給部(低濃度溶劑置換單元)

30???溶劑置換室

34???溶劑供給部(高濃度溶劑置換單元)

36???干燥單元

38???氣體氣氛形成單元

100??基板處理裝置

200??基板處理裝置

210??溶劑置換室

216??氣體氣氛形成單元

220??搬送單元

224??氣體氣氛形成單元

230??干燥室

236??氣體氣氛形成單元

300??基板處理室

308??溶劑供給部(溶劑置換單元)

W????基板

具體實施方式

(實施例1)(圖1～圖3)

如圖1所示，實施例1的基板處理裝置100具有清洗室10、搬送單元20、溶劑置換室30、搬送單元40和冷卻單元50，將清洗室10和溶劑置換室30形成為分開的室。