[發明專利]基板處理裝置和基板處理方法在審
| 申請號: | 201410513508.1 | 申請日: | 2014-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN104517873A | 公開(公告)日: | 2015-04-15 |
| 發明(設計)人: | 長嶋裕次;松下淳;林航之介;宮崎邦浩;古矢正明;東野秀史;田內豐泰 | 申請(專利權)人: | 芝浦機械電子裝置股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,其特征在于:
對基板的正面供給清洗液,將該清洗液置換成揮發性溶劑,利用對基板的正面的加熱除去揮發性溶劑,對基板的正面進行干燥,
所述基板處理裝置具有溶劑置換單元,該溶劑置換單元將所述清洗液置換成低濃度的揮發性溶劑,然后進一步置換成高濃度的揮發性溶劑。
2.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于:
所述溶劑置換單元設置在單個處理室。
3.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于:
具有利用所述低濃度~高濃度的濃度不同的揮發性溶劑的各揮發性溶劑置換清洗液的多個溶劑置換單元,各溶劑置換單元設置在各自不同的處理室。
4.如權利要求3所述的基板處理裝置,其特征在于:
將所述清洗液置換成所述低濃度的揮發性溶劑的低濃度溶劑置換單元,設置在對基板的正面供給清洗液和低濃度的揮發性溶劑的清洗室,
將所述清洗液置換成所述高濃度的揮發性溶劑的高濃度溶劑置換單元,設置在對被供給了清洗液和低濃度的揮發性溶劑的基板的正面供給高濃度的揮發性溶劑、將基板的正面的清洗液和低濃度的揮發性溶劑置換成高濃度的揮發性溶劑的溶劑置換室。
5.一種基板處理方法,其特征在于:
對基板的正面供給清洗液,將該清洗液置換成揮發性溶劑,利用對基板的正面的加熱除去揮發性溶劑,對基板的正面進行干燥,
具有將所述清洗液置換成低濃度的揮發性溶劑,然后進一步置換成高濃度的揮發性溶劑的溶劑置換工序。
6.如權利要求5所述的基板處理方法,其特征在于:
所述溶劑置換工序在單個處理室中進行。
7.如權利要求5所述的基板處理方法,其特征在于:
具有利用所述低濃度~高濃度的濃度不同的揮發性溶劑的各揮發性溶劑置換清洗液的多個溶劑置換工序,各溶劑置換工序在各自不同的處理室中進行。
8.如權利要求7所述的基板處理方法,其特征在于:
將所述清洗液置換成所述低濃度的揮發性溶劑的低濃度溶劑置換工序在對基板的正面供給清洗液和低濃度的揮發性溶劑的清洗室中進行,
將所述清洗液置換成所述高濃度的揮發性溶劑的高濃度溶劑置換工序,在對被供給了清洗液和低濃度的揮發性溶劑的基板的正面供給高濃度的揮發性溶劑、將基板的正面的清洗液和低濃度的揮發性溶劑置換成高濃度的揮發性溶劑的溶劑置換室中進行。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





