[發明專利]一種用于制作嵌入式硅鍺應變PMOS器件的方法在審
| 申請號： | 201410509890.9 | 申請日： | 2014-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN104241141A | 公開（公告）日： | 2014-12-24 |
| 發明（設計）人： | 曾紹海;李銘;易春艷 | 申請（專利權）人： | 上海集成電路研發中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L21/20;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;林彥之 |
| 地址： | 201210 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 制作 嵌入式 應變 pmos 器件 方法 | ||
1.一種用于制作嵌入式硅鍺應變PMOS器件的方法，其特征在于，包括：
步驟一：提供一平面半導體基底，在所述半導體基底上依次形成硅鍺合金層和單晶硅層；
步驟二：形成淺溝槽隔離、柵極及側墻，所述淺溝槽隔離停留在所述半導體基底；
步驟三：形成PMOS源漏凹槽，所述源漏凹槽停留在所述硅鍺合金層；
步驟四：在所述源漏凹槽內繼續生長硅鍺合金層，以在PMOS源漏區域形成應變硅鍺合金應力層。
2.根據權利要求1所述的用于制作嵌入式硅鍺應變PMOS器件的方法，其特征在于，步驟一中，采用外延生長方法在所述半導體基底上依次淀積形成所述硅鍺合金層和所述單晶硅層。
3.根據權利要求1或2所述的用于制作嵌入式硅鍺應變PMOS器件的方法，其特征在于，步驟一中，所述硅鍺合金中鍺的濃度不大于15％原子百分數。
4.根據權利要求1或2所述的用于制作嵌入式硅鍺應變PMOS器件的方法，其特征在于，步驟一中，所述單晶硅層的厚度為400～700A。
5.根據權利要求1所述的用于制作嵌入式硅鍺應變PMOS器件的方法，其特征在于，步驟三中，采用干法刻蝕方法在所述單晶硅層形成所述PMOS源漏凹槽，并直至露出所述單晶硅層下方的所述硅鍺合金層。
6.根據權利要求1所述的用于制作嵌入式硅鍺應變PMOS器件的方法，其特征在于，步驟四中，采用選擇性外延方法在所述PMOS源漏凹槽內繼續淀積生長硅鍺合金層。
7.根據權利要求6所述的用于制作嵌入式硅鍺應變PMOS器件的方法，其特征在于，步驟四中，采用選擇性外延方法在所述PMOS源漏凹槽內繼續淀積生長硅鍺合金層，直至填滿所述PMOS源漏凹槽。
8.根據權利要求6或7所述的用于制作嵌入式硅鍺應變PMOS器件的方法，其特征在于，步驟四中，所述選擇性外延方法的反應氣體為二氯氫硅、鍺烷和氫氣的混合氣體，工藝溫度為610～740℃。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
