[發(fā)明專利]封裝半導(dǎo)體器件的方法和封裝的半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410507390.1
• 申請日: 2014-09-28
• 公開（公告）號: CN105225967B
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭禮輝;蔡柏豪;林俊成
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60;H01L23/535
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

本發(fā)明公開了封裝半導(dǎo)體器件的方法和封裝的半導(dǎo)體器件。在一些實(shí)施例中，一種封裝半導(dǎo)體器件的方法包括將通孔連接至絕緣材料，每個通孔均具有第一寬度。也將管芯連接至絕緣材料。去除絕緣材料的接近每個通孔的一部分。去除的絕緣材料的接近每個通孔的一部分具有第二寬度，第二寬度小于第一寬度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及封裝半導(dǎo)體器件的方法和封裝的半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體器件用于各種電子應(yīng)用中，作為實(shí)例，諸如個人電腦、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和其他電子設(shè)備。半導(dǎo)體器件通常通過以下步驟制造：在半導(dǎo)體襯底上方依次沉積絕緣或介電層、導(dǎo)電層和半導(dǎo)體材料層，以及使用光刻圖案化各個材料層以在其上形成電路部件和元件。

通常在單個半導(dǎo)體晶圓上制造數(shù)十或數(shù)百個集成電路。通過沿著劃線鋸切集成電路來分割單個管芯。例如，然后以多芯片模塊或以其他類型的封裝方式來分別封裝單個管芯。

半導(dǎo)體工業(yè)通過持續(xù)減小最小部件尺寸而不斷地提高各種電子部件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度，這允許更多的部件集成到給定區(qū)域。在一些應(yīng)用中，諸如集成電路管芯的這些較小的電子部件也需要比之前的封裝件利用更小區(qū)域的更小封裝件。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種封裝半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：將多個通孔連接至絕緣材料，所述多個通孔中的每個均包括第一寬度；將多個管芯連接至所述絕緣材料；以及去除所述絕緣材料的接近所述多個通孔中的每個的一部分，其中，去除的所述絕緣材料的接近所述多個通孔中的每個的所述一部分包括第二寬度，所述第二寬度小于所述第一寬度。

在上述方法中，去除所述絕緣材料的接近所述多個通孔中的每個的所述一部分使得所述多個通孔中的每個的一部分暴露，并且所述方法還包括在所述多個通孔中的每個的暴露部分上方形成焊膏。

在上述方法中，還包括：在所述多個通孔周圍、所述多個管芯周圍以及所述多個通孔與所述多個管芯之間形成模塑材料。

在上述方法中，將所述多個通孔連接至所述絕緣材料和將所述多個管芯連接至所述絕緣材料包括：連接所述多個通孔和所述多個管芯的第一側(cè)，并且所述方法還包括：在所述多個通孔和所述多個管芯的第二側(cè)上方形成互連結(jié)構(gòu)，所述第二側(cè)與所述第一側(cè)相對。

在上述方法中，還包括：將多個連接件連接至所述互連結(jié)構(gòu)。

在上述方法中，形成所述互連結(jié)構(gòu)包括形成扇出區(qū)域。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種封裝半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：在載具上方形成絕緣材料；將多個通孔連接至所述絕緣材料，所述多個通孔中的每個均包括第一寬度；將多個管芯連接至所述絕緣材料；在所述多個通孔周圍、所述多個管芯周圍和所述多個通孔與所述多個管芯之間設(shè)置模塑材料；在所述多個通孔、所述多個管芯和所述模塑材料上方形成互連結(jié)構(gòu)；去除所述載具；去除所述絕緣材料的接近所述多個通孔中的每個的一部分，其中，去除的所述絕緣材料的接近所述多個通孔中的每個的所述一部分包括第二寬度，所述第二寬度小于所述第一寬度；以及切割所述絕緣材料、所述模塑材料和所述互連結(jié)構(gòu)以形成多個封裝的半導(dǎo)體器件。

在上述方法中，將所述多個通孔連接至所述絕緣材料包括選自基本上由鍍工藝、消減蝕刻工藝、鑲嵌工藝和它們的組合組成的組中的工藝。

在上述方法中，將所述多個通孔連接至所述絕緣材料包括鍍工藝，并且所述鍍工藝包括：在所述絕緣材料上方形成晶種層；在所述晶種層上方形成犧牲材料；圖案化所述犧牲材料；通過圖案化的犧牲材料在所述晶種層上方鍍導(dǎo)電材料；去除所述犧牲材料，使得所述晶種層的部分暴露于所述導(dǎo)電材料之間；以及去除所述晶種層的暴露部分。