[發明專利]封裝半導體器件的方法和封裝的半導體器件

有效

• 申請號: 201410507390.1
• 申請日: 2014-09-28
• 公開（公告）號: CN105225967B
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發明（設計）人: 鄭禮輝;蔡柏豪;林俊成
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60;H01L23/535
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種封裝半導體器件的方法，所述方法包括：

在載具上方形成絕緣材料；

在所述載具上方形成所述絕緣材料之后，將多個通孔的第一側連接至所述絕緣材料，所述多個通孔中的每個均包括第一寬度；

將多個管芯的第一側連接至所述絕緣材料；

在所述多個通孔和所述多個管芯的第二側上方形成互連結構，所述第二側與所述第一側相對；

將多個連接件連接至所述互連結構，所述多個連接件暴露于外部以用于電連接；以及

去除所述絕緣材料的接近所述多個通孔中的每個的一部分，其中，去除的所述絕緣材料的接近所述多個通孔中的每個的所述一部分包括第二寬度，所述第二寬度小于所述第一寬度；其中，去除所述絕緣材料的接近所述多個通孔中的每個的所述一部分使得所述多個通孔中的每個的一部分暴露，并且所述方法還包括在所述多個通孔中的每個的暴露部分上方形成焊膏。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：在所述多個通孔周圍、所述多個管芯周圍以及所述多個通孔與所述多個管芯之間形成模塑材料。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述互連結構包括形成扇出區域。

4.一種封裝半導體器件的方法，所述方法包括：

在載具上方形成絕緣材料；

在所述載具上方形成所述絕緣材料之后，將多個通孔的第一側連接至所述絕緣材料，所述多個通孔中的每個均包括第一寬度；

將多個管芯的第一側連接至所述絕緣材料；

在所述多個通孔周圍、所述多個管芯周圍和所述多個通孔與所述多個管芯之間設置模塑材料；

在所述多個通孔的第二側、所述多個管芯的第二側和所述模塑材料上方形成互連結構，所述第二側與所述第一側相對；

將多個連接件連接至所述互連結構，所述多個連接件暴露于外部以用于電連接；

去除所述載具；

去除所述絕緣材料的接近所述多個通孔中的每個的一部分，其中，去除的所述絕緣材料的接近所述多個通孔中的每個的所述一部分包括第二寬度，所述第二寬度小于所述第一寬度；以及

切割所述絕緣材料、所述模塑材料和所述互連結構以形成多個封裝的半導體器件；

其中，去除所述絕緣材料的接近所述多個通孔中的每個的一部分使得所述多個通孔中的每個的一部分暴露，并且所述方法還包括在所述多個通孔中的每個的暴露部分上方形成焊膏。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，將所述多個通孔連接至所述絕緣材料包括選自由鍍工藝、消減蝕刻工藝、鑲嵌工藝和它們的組合組成的組中的工藝。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，將所述多個通孔連接至所述絕緣材料包括鍍工藝，并且所述鍍工藝包括：

在所述絕緣材料上方形成晶種層；

在所述晶種層上方形成犧牲材料；

圖案化所述犧牲材料；

通過圖案化的犧牲材料在所述晶種層上方鍍導電材料；

去除所述犧牲材料，使得所述晶種層的部分暴露于所述導電材料之間；以及

去除所述晶種層的暴露部分。

7.根據權利要求4所述的方法，其中，在所述多個通孔和所述多個管芯周圍設置所述模塑材料包括：在所述多個通孔和所述多個管芯上方形成所述模塑材料，并且所述方法還包括：從所述多個通孔和所述多個管芯的上方去除所述模塑材料的頂部。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，去除所述模塑材料的頂部包括研磨工藝或化學機械拋光(CMP)工藝。

9.根據權利要求4所述的方法，還包括：在去除所述載具之后，在所述絕緣材料上方形成保護膜。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，去除所述絕緣材料的接近所述多個通孔中的每個的所述一部分還包括：去除所述保護膜的接近所述多個通孔中的每個的部分。

11.根據權利要求4所述的方法，其中，去除所述絕緣材料的接近所述多個通孔中的每個的所述一部分包括激光工藝。