[發(fā)明專利]檢測裝置、光刻裝置以及物品的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410506206.1 | 申請日: | 2014-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN104516214B | 公開(公告)日: | 2017-04-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 赤松昭郎 | 申請(專利權(quán))人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所11038 | 代理人: | 李今子 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 檢測 裝置 光刻 以及 物品 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及對在基板中設(shè)置的多個標記(mark)進行檢測的檢測裝置、具有該檢測裝置的光刻裝置以及物品的制造方法。
背景技術(shù)
作為在半導(dǎo)體器件等的制造中使用的光刻裝置,例如有一邊通過使基板移動而使狹縫光在基板上進行掃描一邊將掩模的圖案轉(zhuǎn)印到基板上的曝光裝置。在這樣的曝光裝置中,要求將掩模的圖案高精度地轉(zhuǎn)印到形成于基板的多個拍攝(shot)區(qū)域的各個拍攝區(qū)域。因此,需要檢測針對各拍攝區(qū)域設(shè)置的多個對準標記的各個的位置,獲取表示各拍攝區(qū)域的位置、形狀的信息。
在日本特開2010-268005號公報中,提出了排列了多個檢測1個對準標記的OFF-AXIS方式的檢測部的曝光裝置。在日本特開2010-268005號公報記載的曝光裝置中,能夠通過多個檢測部同時檢測多個對準標記的位置。
在日本特開2010-268005號公報記載的曝光裝置中,如果對準標記的間隔比檢測部的寬度窄,則存在無法使檢測部彼此接近這樣的問題。即,由于多個檢測部發(fā)生干涉,所以能夠通過多個檢測部檢測的對準標記的間隔受到了限制。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種例如在檢測設(shè)置于基板的多個標記的方面上有利的技術(shù)。
為了達成上述目的,作為本發(fā)明的一個側(cè)面的檢測裝置,檢測設(shè)置于基板的多個標記,其特征在于,所述檢測裝置包括:第1觀測儀器,向所述多個標記中的第1標記照射光,通過被反射的光檢測所述第1標記;第2觀測儀器,向所述多個標記中的與所述第1標記不同的第2標記照射光,通過被反射的光檢測所述第2標記;以及光學部件,具有使從所述第1觀測儀器射出的光透過以入射到所述基板的透過部、和將從所述第2觀測儀器射出的光朝向所述基板反射的面,通過改變?nèi)肷涞剿龉鈱W部件的來自所述第1觀測儀器的光的入射位置和由所述光學部件的所述面反射的來自所述第2觀測儀器的光的反射位置的相對位置,從所述第1觀測儀器射出的光透過所述透過部而照射的所述基板上的位置與從所述第2觀測儀器射出的光由所述面反射而照射的所述基板上的位置之間的距離發(fā)生變化。
另外,作為本發(fā)明的一個側(cè)面的檢測裝置,檢測設(shè)置于基板的多個標記,其特征在于,所述檢測裝置包括:第1觀測儀器,向所述多個標記中的第1標記照射光,通過被反射的光檢測所述第1標記;第2觀測儀器,向所述多個標記中的與所述第1標記不同的第2標記照射光,通過被反射的光檢測所述第2標記;以及光學部件,具有將從所述第1觀測儀器射出的光朝向所述基板反射的第1面和將從所述第2觀測儀器射出的光朝向所述基板反射的第2面,所述光學部件構(gòu)成為由于與所述基板的表面正交的方向上的所述光學部件的位置發(fā)生變化,從所述第1觀測儀器射出的光由所述第1面反射而向所述基板上照射的位置與從所述第2觀測儀器射出的光由所述第2面反射而向所述基板上照射的位置之間的距離發(fā)生變化。
另外,作為本發(fā)明的一個側(cè)面的物品的制造方法,其特征在于,包括:使用光刻裝置在基板形成圖案的工序;以及對在所述工序中形成了所述圖案的所述基板進行加工的工序,所述光刻裝置包括檢測設(shè)置于所述基板的多個標記的檢測裝置,所述檢測裝置包括:第1觀測儀器,向所述多個標記中的第1標記照射光,通過被反射的光檢測所述第1標記;第2觀測儀器,向所述多個標記中的與所述第1標記不同的第2標記照射光,通過被反射的光檢測所述第2標記;以及光學部件,具有使從所述第1觀測儀器射出的光透過以入射到所述基板的透過部、和將從所述第2觀測儀器射出的光朝向所述基板反射的面,通過改變?nèi)肷涞剿龉鈱W部件的來自所述第1觀測儀器的光的入射位置和由所述光學部件的所述面反射的來自所述第2觀測儀器的光的反射位置的相對位置,從所述第1觀測儀器射出的光透過所述透過部而照射的所述基板上的位置與從所述第2觀測儀器射出的光由所述面反射而照射的所述基板上的位置之間的距離發(fā)生變化。
本發(fā)明的其他目的或者其他側(cè)面根據(jù)以下參照附圖說明的優(yōu)選的實施方式將會更加明確。
附圖說明
圖1是示出第1實施方式的曝光裝置的圖。
圖2是從Y方向觀察了以往的檢測系統(tǒng)時的圖。
圖3是示出以往的檢測部的結(jié)構(gòu)例的圖。
圖4是用于說明多個檢測部的配置的圖。
圖5是示出檢測在X方向上相鄰的2個標記時的2個以往的檢測部的配置的圖。
圖6是示出為了同時檢測在X方向上相鄰的2個標記而構(gòu)成的以往的檢測部的圖。
圖7是示出第1實施方式的檢測部的結(jié)構(gòu)的圖。
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