[發(fā)明專(zhuān)利]一種CMOS加法單元

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410505610.7
• 申請(qǐng)日: 2014-09-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104378104B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡建平;程偉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 寧波大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H03K19/20
• 分類(lèi)號(hào): H03K19/20
• 代理公司: 寧波奧圣專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙)33226
• 代理人: 方小惠

1.一種CMOS加法單元，其特征在于包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管、第十三NMOS管、第十四NMOS管、第十五NMOS管、第十六NMOS管、第十七NMOS管、第十八NMOS管、第十九NMOS管和第二十NMOS管，所述的第一PMOS管的源極、所述的第二PMOS管的源極、所述的第三PMOS管的源極、所述的第四PMOS管的源極、所述的第五PMOS管的源極和所述的第六PMOS管的源極均接入電源，所述的第一PMOS管的漏極、所述的第二PMOS管的漏極、所述的第一NMOS管的源極、所述的第二NMOS管的源極、所述的第十NMOS管的源極、所述的第十一NMOS管的源極均接地，所述的第一PMOS管的漏極、所述的第二PMOS管的漏極、所述的第七NMOS管的漏極、所述的第八NMOS管的漏極、所述的第六NMOS管的漏極、所述的第三PMOS管的柵極、所述的第九NMOS管的柵極和所述的第十五NMOS管的柵極相連，所述的第二PMOS管的柵極、所述的第三PMOS管的漏極和所述的第九NMOS管的漏極相連且其連接端為高位進(jìn)位信號(hào)輸出端，用于向高一位輸出進(jìn)位信號(hào)，所述的第七NMOS管的源極、所述的第三NMOS管的漏極和所述的第四NMOS管的漏極連接，所述的第八NMOS管的源極和所述的第五NMOS管的漏極連接，所述的第一NMOS管的漏極、所述的第三NMOS管的源極、所述的第四NMOS管的源極、所述的第五NMOS管的源極、所述的第六NMOS管的柵極和所述的第九NMOS管的源極連接，所述的第二NMOS管的漏極與所述的第六NMOS管的源極連接，所述的第四PMOS管的漏極、所述的第五PMOS管的漏極、所述的第十五NMOS管的漏極、所述的第十六NMOS管的漏極、所述的第十九NMOS管的漏極、所述的第六PMOS管的柵極和所述的第二十NMOS管的柵極連接，所述的第十五NMOS管的源極、所述的第十二NMOS管的漏極、所述的第十三NMOS管的漏極和所述的第十四NMOS管的漏極連接，所述的第十六NMOS管的源極和所述的第十七NMOS管的漏極連接，所述的第十七NMOS管的源極和所述的第十八NMOS管的漏極連接，所述的第十NMOS管的漏極、所述的第十二NMOS管的源極、所述的第十三NMOS管的源極、所述的第十四NMOS管的源極、所述的第十八NMOS管的源極、第十九NMOS管的柵極和第二十NMOS管的源極連接，所述的第十九NMOS管的源極和所述的第十一NMOS管的漏極連接，所述的第六PMOS管的漏極、所述的第二十NMOS管的漏極和所述的第五PMOS管的柵極連接且其連接端為本位和值信號(hào)輸出端，所述的第三NMOS管的柵極、所述的第八NMOS管的柵極、所述的第十二NMOS管的柵極和所述的第十六NMOS管的柵極連接且其連接端為第一加數(shù)信號(hào)輸入端，所述的第四NMOS管的柵極、所述的第五NMOS管的柵極、所述的第十三NMOS管的柵極和所述的第十七NMOS管的柵極連接且其連接端為第二加數(shù)信號(hào)輸入端，所述的第七NMOS管的柵極、所述的第十四NMOS管的柵極和所述的第十八NMOS管的柵極連接且其連接端為低位進(jìn)位信號(hào)輸入端，用于接收低一位的進(jìn)位信號(hào)，所述的第一PMOS管的柵極、所述的第四PMOS管的柵極、所述的第一NMOS管的柵極、所述的第二NMOS管的柵極、所述的第十NMOS管的柵極和所述的第十一NMOS管的柵極均接入幅值電平對(duì)應(yīng)邏輯1的時(shí)鐘信號(hào)。