[發明專利]晶體管的形成方法

有效

• 申請號: 201410504707.6
• 申請日: 2014-09-26
• 公開（公告）號: CN105448736B
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發明（設計）人: 韓秋華;陳杰
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 應戰;駱蘇華

1.一種晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底表面具有柵極膜；

在所述柵極膜表面形成掩膜薄膜；

對所述掩膜薄膜進行離子注入，在所述掩膜薄膜內摻雜碳離子；

在對所述掩膜薄膜進行離子注入工藝之后，在所述掩膜薄膜表面形成保護膜；

在所述離子注入工藝之后，刻蝕部分所述保護膜和掩膜薄膜，暴露出部分所述柵極膜表面，形成掩膜層、以及位于掩膜層表面的保護層；

以所述掩膜層為掩膜，刻蝕所述柵極膜直至暴露出襯底表面為止，形成柵極層；

在所述柵極層和掩膜層的側壁表面形成第一側墻，所述第一側墻內摻雜有碳離子；

在所述柵極層和第一側墻兩側的襯底內形成應力層。

2.如權利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，對所述掩膜薄膜進行的離子注入工藝包括：注入劑量為1E3atoms/cm²～1E6atoms/cm²，能量為5KeV～50KeV。

3.如權利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述保護層的材料為氧化硅；所述保護層的厚度為5納米～100納米。

4.如權利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述掩膜層的材料包括氮化硅；所述掩膜層的厚度為5納米～100納米。

5.如權利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一側墻的形成工藝包括：在所述襯底、柵極層和掩膜層表面形成第一側墻膜；對所述第一側墻膜進行離子注入，在所述第一側墻膜內摻雜碳離子；在所述離子注入工藝之后，回刻蝕所述第一側墻膜，直至暴露出襯底表面為止，形成第一側墻。

6.如權利要求5所述的晶體管的形成方法，其特征在于，對所述第一側墻膜進行的離子注入工藝包括：注入劑量為1E3atoms/cm²～1E6atoms/cm²，能量為5KeV～50KeV。

7.如權利要求5所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一側墻膜的材料包括氮化硅；所述第一側墻膜的厚度為5納米～100納米。

8.如權利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，還包括：在形成第一側墻之后，形成應力層之前，在所述柵極層和第一側墻兩側的襯底內形成輕摻雜區。

9.如權利要求8所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述輕摻雜區內摻雜有P型離子或N型離子。

10.如權利要求8所述的晶體管的形成方法，其特征在于，在形成所述輕摻雜區之后，形成所述應力層之前，在所述第一側墻表面形成第二側墻。

11.如權利要求10所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二側墻的形成工藝包括：在所述襯底、第一側墻和掩膜層表面形成第二側墻膜；回刻蝕所述第二側墻膜，直至暴露出襯底表面為止，形成第二側墻。

12.如權利要求11所述的晶體管的形成方法，其特征在于，還包括：在形成第二側墻膜之后，回刻蝕所述第二側墻膜之前，對所述第二側墻膜進行離子注入，在所述第二側墻膜內摻雜碳離子。

13.如權利要求12所述的晶體管的形成方法，其特征在于，對所述第二側墻膜進行的離子注入工藝包括：注入劑量為1E3atoms/cm²～1E6atoms/cm²，能量為5KeV～50KeV。

14.如權利要求11所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二側墻膜的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一種或多種；所述第二側墻膜的厚度為5納米～100納米。