[發明專利]靜電放電(ESD)電路有效
| 申請號: | 201410502914.8 | 申請日: | 2014-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN104517957B | 公開(公告)日: | 2018-03-27 |
| 發明(設計)人: | 布魯斯·J·特施 | 申請(專利權)人: | Qorvo美國公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人: | 王萍,陳煒 |
| 地址: | 美國北卡*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 放電 esd 電路 | ||
技術領域
本公開內容的實施方式總體上涉及集成電路領域,更具體地涉及靜電放電(ESD)電路以及相關聯的技術。
背景技術
目前的靜電放電(ESD)電路在電源具有快的上升時間的情況下可能經受高的浪涌電流,并且在一些情況下,在芯片的正常操作期間可能經受來自增益反饋的振蕩。可以期望用于在減小快速上升電源的浪涌電流的情況下提供穩定的ESD保護的技術和配置。
附圖說明
結合附圖通過下面的詳細描述將容易理解實施方式。為了方便描述,相似的附圖標記指代相似的結構元件。在附圖的圖片中以舉例但非限制的方式示出了實施方式。
圖1示意性地示出了根據多種實施方式的包括靜電放電(ESD)電路的管芯;
圖2示意性地示出了根據多種實施方式的ESD電路;
圖3示意性地示出了根據多種實施方式的ESD電路的替選配置;
圖4示意性地示出了根據多種實施方式的ESD電路的替選配置;
圖5示意性地示出了根據多種實施方式的ESD電路的替選配置;
圖6示意性地示出了根據多種實施方式的ESD電路的替選配置;
圖7示意性地示出了根據多種實施方式的ESD電路的替選配置;
圖8a示意性地示出了根據多種實施方式的ESD電路的替選配置;
圖8b示意性地示出了根據多種實施方式的ESD電路的替選配置;
圖9示意性地示出了根據多種實施方式的針對圖2的ESD電路的電源電壓節點的電流隨時間變化的示例圖表;
圖10示意性地示出了根據多種實施方式的圖2的ESD電路的各個節點的電壓隨時間變化的示例圖表;
圖11是根據多種實施方式的用于制造或設計ESD電路的方法的流程圖;以及
圖12示意性地示出了根據多種實施方式的包括具有ESD電路的管芯的示例系統。
具體實施方式
本公開內容的實施方式描述了靜電放電(ESD)電路以及相關聯的技術和配置。在下面的詳細描述中,參考形成本文的一部分的附圖,其中,在全文中相似的附圖標記指代相似的部件,并且其中,通過其中可以實現本公開內容的主題的說明性實施方式的方式示出了實施方式。要理解的是,可以在不偏離本公開內容的范圍的情況下利用其他實施方式并且進行結構變化或邏輯變化。因此,不在限制意義上來進行下面的詳細描述,并且實施方式的范圍由所附權利要求及其等同方案來限定。
出于本公開內容的目的,短語“A和/或B”意指(A)、(B)、或(A和B)。出于本公開內容的目的,短語“A、B、和/或C”意指(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)或(A、B和C)。
描述可以使用短語“在實施方式中”或“在多種實施方式中”,其可以分別指代相同實施方式或不同實施方式中的一種或更多種實施方式。此外,如關于本公開內容的實施方式所使用的那樣,術語“包括”、“包含”、“具有”等是同義的。術語“耦接”可以指代直接連接、間接連接或間接通信。
在本文中可以使用術語“與……耦接”連同其衍生詞語。“耦接”可以意指下述中的一個或更多個。“耦接”可以表示兩個或更多個元件直接物理接觸或電接觸。然而,“耦接”也可以表示兩個或更多個元件彼此間接接觸但仍彼此協作或交互,并且可以表示一個或更多個其他元件耦接或連接在被稱為彼此耦接的元件之間。
圖1示意性地示出了根據多種實施方式的包括靜電放電(ESD)電路的管芯100。在一些實施方式中,管芯100可以包括一個或更多個瞬態ESD鉗位電路(下文中稱為“ESD鉗位電路102”)形式的ESD電路。ESD鉗位電路102可以被配置成保護管芯上的其他電路110免受ESD事件諸如例如靜態沖擊或其他電力浪涌。其他電路110可以包括例如用于將電信號路由到有源器件或從有源器件路由電信號的一個或更多個晶體管、存儲器單元或其他有源器件和/或互連電路、或者對ESD事件敏感的任何其他電路。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





