[發明專利]一種低壓環境退火去除基底材料表面附著雜質的方法在審
| 申請號： | 201410500844.2 | 申請日： | 2014-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN104269348A | 公開（公告）日： | 2015-01-07 |
| 發明（設計）人： | 孫棟;邱俊 | 申請（專利權）人： | 安慶美晶新材料有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 246008 安徽省安慶市安慶經濟技術開發*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 低壓 環境 退火 去除 基底 材料 表面 附著 雜質 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種低壓環境退火去除基底材料表面附著雜質的方法，該方法包括：將樣品放入退火爐中并抽真空后，通入保護氣體并維持保護氣體氣壓，開啟退火爐升溫至退火溫度并維持一定時間后，降溫至室溫后放真空，取出樣品。
2.根據權利要求1所述的低壓環境退火去除基底材料表面附著雜質的方法，其特征是將樣品放入退火爐中并抽真空后，通入保護氣體并維持保護氣體氣壓。
3.根據權利要求1所述的低壓環境退火去除基底材料表面附著雜質的方法，其特征是根據根據不同的樣品材料、雜質和基底情況，需要采取不同的退火條件，具體為保護氣體種類、保護氣體氣壓、退火溫度、退火時間。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
