[發明專利]光掩膜坯料的制造方法在審
| 申請號： | 201410499396.9 | 申請日： | 2014-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN104460224A | 公開（公告）日： | 2015-03-25 |
| 發明（設計）人： | 吉井崇;河合義夫;稻月判臣;渡邊聰;池田顯;桜田豊久;金子英雄 | 申請（專利權）人： | 信越化學工業株式會社 |
| 主分類號： | G03F1/50 | 分類號： | G03F1/50;G03F1/54;G03F1/76;H01L21/033 |
| 代理公司： | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 張永康;李英艷 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光掩膜 坯料 制造 方法 | ||
1.一種光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩膜坯料在透明基板上至少具有含有硅的無機膜，并在該無機膜上具有抗蝕膜，
其特征在于，
在形成前述無機膜后，以高于200℃的溫度，在含有氧氣的環境中進行熱處理，再進行硅烷化處理，然后利用涂布來形成前述抗蝕膜。
2.如權利要求1所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，以高于400℃的溫度進行前述熱處理。
3.如權利要求1所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，將前述含有硅的無機膜制成進一步含有氧。
4.如權利要求2所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，將前述含有硅的無機膜制成進一步含有氧。
5.如權利要求3所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，將前述含有硅的無機膜制成由硅與氧構成。
6.如權利要求4所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，將前述含有硅的無機膜制成由硅與氧構成。
7.如權利要求1至6中任一項所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，形成含有鉻的無機膜，再形成前述含有硅的無機膜。
8.如權利要求7所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，在前述透明基板上，形成含有硅的相移膜，再形成前述含有鉻的無機膜。
9.如權利要求1至6中任一項所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，將前述含有硅的無機膜作為硬掩膜。
10.如權利要求7所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，將前述含有硅的無機膜作為硬掩膜。
11.如權利要求8所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，將前述含有硅的無機膜作為硬掩膜。
12.如權利要求1至6中任一項所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，在前述硅烷化處理中，使用六甲基二硅氮烷進行處理。
13.如權利要求7所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，在前述硅烷化處理中，使用六甲基二硅氮烷進行處理。
14.如權利要求8所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，在前述硅烷化處理中，使用六甲基二硅氮烷進行處理。
15.如權利要求9所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，在前述硅烷化處理中，使用六甲基二硅氮烷進行處理。
16.如權利要求10所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，在前述硅烷化處理中，使用六甲基二硅氮烷進行處理。
17.如權利要求11所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，在前述硅烷化處理中，使用六甲基二硅氮烷進行處理。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
