[發明專利]蝕刻液組合物及利用該組合物的薄膜晶體管基板形成方法

有效

• 申請號: 201410497650.1
• 申請日: 2014-09-25
• 公開（公告）號: CN104451681B
• 公開（公告）日: 2019-08-16
• 發明（設計）人: 金俸均;樸弘植;尹升好;金善一;金相佑;李大雨;李騏范;曹三永
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司;株式會社東進世美肯
• 主分類號: C23F1/16
• 分類號: C23F1/16;C23F1/02;H01L21/77
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 崔炳哲

本發明提供一種蝕刻液組合物及利用該組合物的薄膜晶體管基板形成方法。本發明實施例的蝕刻液組合物包含第一蝕刻液組合物和第二蝕刻液組合物。所述第一蝕刻液組合物包含過二硫酸鹽化合物、唑類化合物、水溶性胺化合物、磷酸鹽化合物、氯化物、有機酸、氟化物、磺酸化合物及無機酸。所述第二蝕刻液組合物包含二硫酸化合物、唑類化合物、水溶性胺化合物、磷酸鹽化合物、氯化物及有機酸。

技術領域

本發明涉及蝕刻液組合物及利用該蝕刻液組合物的形成薄膜晶體管基板的方法。

背景技術

最近，液晶顯示裝置、等離子體顯示裝置、電泳顯示裝置及有機電致發光裝置等顯示裝置被廣泛使用。

所述顯示裝置包括基板和設在所述基板上的多個像素。各像素包括與設在所述基板上的柵線和數據線連接的薄膜晶體管。通過所述柵線向所述薄膜晶體管輸入柵開啟電壓，通過所述數據線向所述薄膜晶體管輸入圖像信號。

所述柵線和所述數據線可以由金屬形成，通過光刻工藝進行構圖。

發明內容

本發明的目的在于提供一種對金屬的蝕刻率高且改善了經時性的蝕刻液組合物。

本發明的另一個目的在于提供一種縮短制造時間、減少費用且減少斷線等線路不良的薄膜晶體管基板的制造方法。

解決課題的技術方案

根據本發明的一實施例的蝕刻液組合物含有第一組合物和第二組合物，所述第一組合物含有相對于蝕刻液組合物總重量的0.1重量％～20重量％的過二硫酸鹽化合物、0.01重量％～2重量％的唑(azole)化合物、0.1重量％～10重量％的水溶性胺化合物、0.1重量％～5重量％的磷酸鹽化合物、0.001重量％～1重量％的氯化物、0.1重量％～20重量％的有機酸、0.1重量％～2重量％的氟化物、0.1重量％～5重量％的磺酸化合物、0.1重量％～5重量％的無機酸以及使整個組合物的總重量成為100重量％的水，所述第二組合物含有相對于蝕刻液組合物總重量的0.1重量％～20重量％的過二硫酸鹽化合物、0.01重量％～2重量％的唑類化合物、0.1重量％～10重量％的水溶性胺化合物、0.1重量％～5重量％的磷酸鹽化合物、0.001重量％～1重量％的氯化物、0.1重量％～20重量％的有機酸以及使整個組合物的總重量成為100重量％的水。

所述蝕刻液組合物可以在制造顯示裝置用薄膜晶體管基板時使用。基于本發明一實施例的薄膜晶體管基板是在基板上形成柵線及與所述柵線連接的柵電極，并且在形成與所述柵線絕緣配置的半導體層、在所述半導體層上與所述柵線交叉配置的數據線、與所述數據線連接的源電極、從所述源電極分開的漏電極之后，形成與所述漏電極連接的像素電極而制造的。在此，可以利用所述蝕刻液形成所述柵線、所述柵電極、所述半導體層、所述數據線、所述源電極及所述漏電極。

根據本發明實施例的所述第一蝕刻液組合物用于蝕刻層疊在基板上的半導體材料及金屬膜而形成所述半導體層。在本發明一實施例中，所述半導體層可以包含含有鋅(Zn)、銦(In)、鎵(Ga)、錫(Sn)以及它們的混合物中的至少一種的氧化物。

根據本發明實施例的所述第二蝕刻液組合物用于蝕刻金屬膜而形成金屬線路。在本發明一實施例中，所述金屬膜可以由銅膜、包括銅的多重膜或者包含銅的合金膜提供。

根據本發明一實施例，提供一種線路的斷線不良少，蝕刻率高，并且改善了經時性的蝕刻液組合物。

并且，根據本發明一實施例，通過所述金屬線路的制造方法來制造薄膜晶體管基板，由此提供高質量的顯示裝置。

附圖說明

圖1是表示能夠使用本發明實施例的蝕刻液組合物制造的顯示裝置的結構的俯視圖；

圖2是圖1的I-I’的剖視圖；