[發(fā)明專(zhuān)利]蝕刻液組合物及利用該組合物的薄膜晶體管基板形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410497650.1
• 申請(qǐng)日: 2014-09-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104451681B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-08-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金俸均;樸弘植;尹升好;金善一;金相佑;李大雨;李騏范;曹三永
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星顯示有限公司;株式會(huì)社東進(jìn)世美肯
• 主分類(lèi)號(hào): C23F1/16
• 分類(lèi)號(hào): C23F1/16;C23F1/02;H01L21/77
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 崔炳哲

1.一種蝕刻液組合物，其特征在于，相對(duì)于蝕刻液組合物的總重量，包含0.1重量％～20重量％的過(guò)二硫酸鹽化合物、0.01重量％～2重量％的唑類(lèi)化合物、0.1重量％～10重量％的水溶性胺化合物、0.1重量％～5重量％的磷酸鹽化合物、0.001重量％～1重量％的氯化物、0.1重量％～20重量％的有機(jī)酸、0.1重量％～2重量％的氟化物、0.1重量％～5重量％的磺酸化合物、以及0.1重量％～5重量％的無(wú)機(jī)酸以及使整個(gè)組合物的總重量成為100重量％的水，和

其中所述水溶性胺化合物是氨基磺酸、環(huán)己基氨基磺酸、脂肪胺磺酸、牛磺酸、脂肪胺亞磺酸或氨基乙烷亞磺酸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其特征在于，

所述過(guò)二硫酸鹽化合物是過(guò)二硫酸鉀、過(guò)二硫酸鈉及過(guò)二硫酸銨中的至少一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其特征在于，

所述唑類(lèi)化合物是苯并三唑、氨基四唑及咪唑中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其特征在于，

所述磷酸鹽化合物是磷酸二氫鈉、磷酸一氫鈉、磷酸鈉、磷酸二氫銨、磷酸一氫銨、磷酸銨、磷酸二氫鉀、磷酸一氫鉀、磷酸鉀、磷酸二氫鈣、磷酸一氫鈣及磷酸鈣中的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其特征在于，

所述氯化物是鹽酸、氯化銨、氯化鉀、氯化鐵、氯化鈉、高氯酸銨、高氯酸鉀、高氯酸鈉及氯化鋅中的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其特征在于，

所述有機(jī)酸是草酸、丁酮二酸、延胡索酸、蘋(píng)果酸、琥珀酸、乙酸、丁酸、酒石酸、抗壞血酸、尿酸、亞磺酸、甲酸、檸檬酸、異檸檬酸、α-酮戊二酸及乙醇酸中的至少一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其特征在于，

所述氟化物是氫氟酸、氟化鈉、氟化氫鈉、氟化銨、氟化氫銨、氟硼酸銨、氟化鉀、氟化氫鉀、氟化鋁、氟硼酸、氟化鋰、氟硼酸鉀及氟化鈣中的至少一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其特征在于，

所述無(wú)機(jī)酸是硝酸、硫酸、磷酸、及高氯酸中的至少一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其特征在于，

所述磺酸化合物是甲基磺酸及苯磺酸中的至少一種。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其特征在于，

所述蝕刻液組合物是蝕刻半導(dǎo)體材料及包含銅的金屬膜的蝕刻液組合物。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的蝕刻液組合物，其特征在于，

所述半導(dǎo)體材料由含有鋅、銦、鎵、錫以及它們的混合物中的至少一種的氧化物構(gòu)成。

12.一種蝕刻液組合物，其特征在于，相對(duì)于蝕刻液組合物的總重量，包含0.1重量％～20重量％的過(guò)二硫酸鹽化合物、0.01重量％～2重量％的唑類(lèi)化合物、0.1重量％～10重量％的水溶性胺化合物、0.1重量％～5重量％的磷酸鹽化合物、0.001重量％～1重量％的氯化物、0.1重量％～20重量％的有機(jī)酸以及使整個(gè)組合物的總重量成為100重量％的水，和

其中所述水溶性胺化合物是氨基磺酸、環(huán)己基氨基磺酸、脂肪胺磺酸、牛磺酸、脂肪胺亞磺酸或氨基乙烷亞磺酸。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的蝕刻液組合物，其特征在于，

所述過(guò)二硫酸鹽化合物是過(guò)二硫酸鉀、過(guò)二硫酸鈉及過(guò)二硫酸銨中的至少一種。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的蝕刻液組合物，其特征在于，

所述唑類(lèi)化合物是苯并三唑、氨基四唑及咪唑中的至少一種。