[發(fā)明專利]一種聚合物荷電多孔膜的制備方法

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• 申請日: 2014-09-25
• 公開（公告）號: CN104759213A
• 公開（公告）日: 2015-07-08
• 發(fā)明（設計）人: 張一琛;趙津禮
• 申請（專利權）人: 張一琛
• 主分類號: B01D71/68
• 分類號: B01D71/68;B01D69/02;B01D69/06;B01D69/04;B01D69/08;B01D67/00
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1.本發(fā)明提供一種聚合物荷電多孔膜的制備方法，其特征在于原位制備一種提供荷電性的聚合物溶液，并與至少一種聚合物基質材料混合制得聚合物荷電多孔膜。

2.如權利要求1所述的原位制備的一種荷電聚合物溶液，其特征在于選擇一種聚合物材料，對其進行化學反應改性，原位制得一種聚合物溶液使這種聚合物鏈上帶有荷電基團，該溶液直接與基質材料混合用于制備荷電多孔膜。該方法具有操作過程簡單，成本低廉，容易工業(yè)化實施等特點。原位制得的聚合物溶液不僅使聚合物多孔膜帶有電荷性，還可以起到使膜親水性提高，制得膜水通量大，分離效率高，抗污染能力強等特點。

3.如權利2要求所述的荷電聚合物溶液原位制備方法，其特征在于荷電聚合物溶液制備所使用的材料其特征為聚醚砜、聚砜、聚醚酮、聚醚砜酮中的至少一種；所使用的溶劑為二氯甲烷、二氯乙烷、濃硫酸中的至少一種；化學反應所需要的試劑為發(fā)煙硫酸、氯磺酸、濃硫酸、氣體三氧化硫中的至少一種。

4.如權利要求1所述一種聚合物荷電多孔膜的制備方法，其特征為將原位制備的一種荷電聚合物溶液、基質材料與至少一種孔徑調節(jié)劑在一定的比例下混合配制鑄膜液，直接通過相分離的方法制備聚合物荷電多孔膜。

5.如權利4要求所述的制備方法，其特征在于制膜所使用的基質材料為聚醚砜、聚砜、聚醚酮、聚醚砜酮的至少一種。

6.如權利4要求所述的制備方法，其特征在于配制鑄膜液所用的溶劑為N-甲基吡咯烷酮、二甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺中的至少一種。

7.如權利4要求所述的制備方法，其特征在于制膜所用的孔徑調節(jié)劑為聚乙二醇、聚乙烯吡咯烷酮、丙酮、丁酮、丙二醇、正丁醇中的至少一種，其中聚乙二醇的相對分子量為200、400、800、2000、6000、20000，聚乙烯吡咯烷酮K值為15、30、60、90及130。

8.如權利4所述的膜的制備方法，其制備步驟如下：

A、荷電聚合物溶液的原位制備

B、鑄膜液的配制

C、相分離制膜

D、后處理。

9.如權利要求8所述膜的制備步驟，其特征在于：

A、荷電聚合物溶液的原位制備：按照權利要求3中所述的一種聚合物材料，使用其中的一種溶劑在一定溫度下溶解，然后加入至少一種化學反應所需要的試劑，在一定的條件下反應，制備荷電聚合物溶液。其中化學改性反應溫度為30℃～90℃，反應時間為4小時～30小時。

B、鑄膜液的配制：將至少一種基質材料、荷電聚合物溶液與孔徑調節(jié)劑在一定的比例下混合，添加溶劑調節(jié)鑄膜液粘度，制得均勻混合的鑄膜液。

C、制膜方法采用熟知的相分離制膜法，將制得的鑄膜液在光滑干凈的玻璃板上刮制成膜，在空氣中預放置5秒～5分鐘，再將等其放入1℃～50℃的凝固浴中。制膜環(huán)境條件為：環(huán)境溫度15℃～50℃，濕度為30％～80％。

D、后處理：將制得的膜放入去離子水中48h，完全除去溶劑以后，保存，待用。