[發明專利]一種MEMS麥克風及其制作方法和電子裝置

在審

• 申請號: 201410493916.5
• 申請日: 2014-09-24
• 公開（公告）號: CN105502277A
• 公開（公告）日: 2016-04-20
• 發明（設計）人: 鄭超;李衛剛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02;B81C1/00;H04R19/04
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種MEMS麥克風的制作方法，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底的正面形成有犧牲層，在所 述犧牲層內形成有被所述犧牲層包圍的振動膜，在所述犧牲層上與所 述振動膜對應的區域形成有若干定極板；

對所述半導體襯底的背面進行激光切割，直到暴露所述犧牲層， 以形成切割口，其中，所述切割口位于所述半導體襯底背面對應所述 定極板的區域邊緣；

在所述半導體襯底的背面和所述切割口內形成圖案化的光刻膠 層，暴露所述切割口內側的所述半導體襯底；

以圖案化的光刻膠層為掩膜，刻蝕半導體襯底的背面，直到暴露 犧牲層，形成腔體；

去除所述振動膜中間部位上方和下方的所述犧牲層，以在所述定 極板和所述振動膜之間形成空腔。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在進行所述 激光切割之前，還包括在所述半導體襯底的背面定義激光切割標記的 步驟，其中所述激光切割標記位于所述半導體襯底背面對應所述定極 板的區域邊緣。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述激光切 割的深度為370～390μm。

4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述刻蝕為 干法刻蝕。

5.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述干法刻 蝕為深反應離子刻蝕。

6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述腔體為 圓柱形。

7.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述振動膜 和所述定極板的材料為導電材料。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述導電材 料選自鋁、鎢、銅、摻雜的多晶硅或非晶硅、硅鍺中的一種或幾種。

9.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述若干定 極板相互間隔。

10.根據權利要求9所述的制作方法，其特征在于，在間隔的所 述定極板之間還形成有限位結構，所述限位結構的一部分位于所述犧 牲層內。

11.一種采用權利要求1所述的制作方法制得的MEMS麥克風。

12.一種電子裝置，其特征在于，包括權利要求11所述的MEMS 麥克風。